ＰＮ結(jié)的形成

　?。?）當Ｐ型半導體和Ｎ型半導體結(jié)合在一起時，由于交界面處存在 載流子濃度的差異 ，這樣電子和空穴都要 從濃度高的地方向濃度低的地方擴散 。但是，電子和空穴都是帶電的，它們擴散的結(jié)果就使Ｐ區(qū)和Ｎ區(qū)中原來的電中性條件破壞了。Ｐ區(qū)一側(cè)因失去空穴而留下不能移動的負離子，Ｎ區(qū)一側(cè)因失去電子而留下不能移動的正離子。這些不能移動的帶電粒子通常稱為 空間電荷 ，它們集中在Ｐ區(qū)和Ｎ區(qū)交界面附近，形成了一個很薄的空間電荷區(qū)，這就是我們所說的 ＰＮ結(jié) 。

　　　　　　　　　　　　　圖（1）濃度差使載流子發(fā)生擴散運動

　?。?）在這個區(qū)域內(nèi)，多數(shù)載流子已擴散到對方并復(fù)合掉了，或者說消耗殆盡了，因此，空間電荷區(qū)又稱為 耗盡層 。

　　（3）Ｐ區(qū)一側(cè)呈現(xiàn)負電荷，Ｎ區(qū)一側(cè)呈現(xiàn)正電荷，因此空間電荷區(qū)出現(xiàn)了方向由Ｎ區(qū)指向Ｐ區(qū)的電場，由于這個電場是載流子擴散運動形成的，而不是外加電壓形成的，故稱為 內(nèi)電場 。

　　　　　　　　　　　　　　　　　圖（2）內(nèi)電場形成

　　（4）內(nèi)電場是由多子的擴散運動引起的，伴隨著它的建立將帶來兩種影響：一是 內(nèi)電場將阻礙多子的擴散 ，二是P區(qū)和N區(qū)的少子一旦靠近PN結(jié)，便在內(nèi)電場的作用下漂移到對方， 使空間電荷區(qū)變窄 。

　　（5）因此， 擴散運動使空間電荷區(qū)加寬，內(nèi)電場增強，有利于少子的漂移而不利于多子的擴散；而漂移運動使空間電荷區(qū)變窄，內(nèi)電場減弱，有利于多子的擴散而不利于少子的漂移。
　　 當擴散運動和漂移運動達到動態(tài)平衡時，交界面形成穩(wěn)定的空間電荷區(qū)，即 ＰＮ結(jié)處于動態(tài)平衡 。