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            EEPW首頁(yè) > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 韓確定“下下一代”半導(dǎo)體四大重點(diǎn)領(lǐng)域

            韓確定“下下一代”半導(dǎo)體四大重點(diǎn)領(lǐng)域

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            作者: 時(shí)間:2007-08-03 來(lái)源:EEPW 收藏
                韓國(guó)下下一代策略技術(shù)的四大重點(diǎn)研發(fā)領(lǐng)域已確定為:系統(tǒng)設(shè)計(jì)、納米集成工程、下一代存儲(chǔ)器、系統(tǒng)統(tǒng)合。此次的推進(jìn)策略與以往不同,要采取“共同研發(fā)”和設(shè)備材料需求企業(yè)之間的協(xié)作體系。 

              據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道,韓國(guó)產(chǎn)業(yè)資源部要以當(dāng)前正改編中的策略技術(shù)開(kāi)發(fā)體系為基礎(chǔ),以此確定從明年開(kāi)始的下下一代研發(fā),并對(duì)此加強(qiáng)政策支持。 

              韓國(guó)產(chǎn)資部未來(lái)生活產(chǎn)業(yè)本部長(zhǎng)透露,通過(guò)四大領(lǐng)域的重點(diǎn)研發(fā),大幅度增加根源、前沿的研發(fā)投資,從而確保系統(tǒng)設(shè)計(jì)以及工程技術(shù)的領(lǐng)先,并增強(qiáng)產(chǎn)、學(xué)、研以及供、需企業(yè)之間的協(xié)作。 

              為此,產(chǎn)資部以共同研發(fā)項(xiàng)目的擴(kuò)大和設(shè)備、材料產(chǎn)業(yè)的同步增長(zhǎng)作為推進(jìn)策略。 

              在四大重點(diǎn)研發(fā)領(lǐng)域中,系統(tǒng)設(shè)計(jì)的目標(biāo)是將當(dāng)前分別處于23位、13位(世界前100的基準(zhǔn))左右水平的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造技術(shù)提高到美國(guó)、日本、中國(guó)臺(tái)灣的水平。為了積極應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)細(xì)小化、集成化的趨勢(shì)而需要進(jìn)一步強(qiáng)化的納米集成工程,其目標(biāo)不僅是確保新技術(shù)主導(dǎo)權(quán),而且要提高設(shè)備、材料產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力。與此同時(shí),下一代存儲(chǔ)器的核心是通過(guò)加強(qiáng)相關(guān)研發(fā),使得當(dāng)前DRAM、NAND Flash的主導(dǎo)權(quán)擴(kuò)展到性質(zhì)上與此不同的PRAM、FeRAM、ReRAM等技術(shù)上,從而進(jìn)一步拉大與競(jìng)爭(zhēng)國(guó)家之間的差距。 

              除此以外,在系統(tǒng)領(lǐng)域上要把焦點(diǎn)放在半導(dǎo)體領(lǐng)域和其他產(chǎn)業(yè)之間的聯(lián)系上。其策略是從產(chǎn)品的策劃階段開(kāi)始,通過(guò)與電子、通信、汽車(chē)等共同開(kāi)發(fā),占領(lǐng)新的半導(dǎo)體市場(chǎng)。 

              產(chǎn)資部有關(guān)人員透露,通過(guò)加強(qiáng)中小設(shè)備、零部件企業(yè)和半導(dǎo)體大企業(yè)的協(xié)助,消除半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的不均衡發(fā)展,組成健全的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系,這也是政府的主要政策方向。當(dāng)前,設(shè)備、原料、零部件占據(jù)著半導(dǎo)體生產(chǎn)成本的65%以上,但國(guó)產(chǎn)化率較低,如設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化率不到20%,零部件、原料的國(guó)產(chǎn)化率不到40%。 


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