安森美半導體最新推出的NSSxxx低Vce(sat)表面貼裝器件專為對能效控制要求極為嚴格的低壓轉(zhuǎn)換應用而設計。電流為1A時，該器件可提供45mV的超低飽和電壓及300倍的電流增益。這種低Vce(sat)BJT還提供超過8kV的較高的靜電放電(ESD)容差，因此能在突發(fā)浪涌情況下自我保護，避免受損。由于實現(xiàn)了出色的電氣性能及較低的溫度系數(shù)，因此這種器件可提高能效，在無需額外ESD保護電路就能實現(xiàn)更好的電池節(jié)能。相對于MOSFET而言，這種器件比較適中的開關速度降低了噪聲諧波，因此更適于需要控制電磁干擾(EMI)的應用。

    安森美半導體的低Vce(sat)BJT系列產(chǎn)品采用多種業(yè)界領先的封裝，包括SOT-23、SOT-223、SOT-563、WDFN3、WDFN6、ChipFET、SC-88、SC74和TSOP6等。每10,000片的批量單價為0.14～0.27美元。

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