5月20日消息，三星電子昨天宣布開發(fā)出了首款應(yīng)用90納米技術(shù)的512Mb XDR DRAM樣品，這是目前多媒體應(yīng)用領(lǐng)域速度最快的存儲器。 

　　三星該款512Mb XDR DRAM能夠以每秒高達9.6GB的速度傳輸數(shù)據(jù)，其傳輸速度是DDR400存儲器的12倍，同時也是目前最快的RDRAM (PC 800)存儲器的6倍。它應(yīng)用了先進的90納米技術(shù)，能夠在1.8伏的工作電壓下，達到最高每秒4.8Gb的運行速度。 

    這款存儲器的目標市場，集中在需要先進數(shù)字成像以及3D制圖的高性能寬帶應(yīng)用領(lǐng)域，例如最新的游戲引擎、數(shù)字電視、高端服務(wù)器以及高級工作站。 

　　索尼公司的計算機娛樂部門將選擇三星的XDR DRAM，并將其應(yīng)用于下一代的電腦游戲系統(tǒng)PS3之上。 

　　三星半導(dǎo)體部門存儲器市場副總裁Yeong Ho Kang先生表示：“我們同索尼公司的計算機娛樂部門通力合作，滿足其PS3發(fā)布的基本需求：具備最理想熱效能的極速系統(tǒng)存儲器?！?nbsp;

　　三星的XDR DRAM采用了基于Rambus公司的XDR存儲器接口技術(shù)。該技術(shù)能夠滿足各種規(guī)格的數(shù)據(jù)輸入和輸出需求，并且適用于x2, x4, x8 和x16多種配置。 

　　根據(jù)市場研究公司IDC的調(diào)查，在接下來的四年之內(nèi)(從2006年到2009年)，XDR DRAM市場將會穩(wěn)步地增長，內(nèi)存產(chǎn)量將達到8億個256Mb。