Intel突破 65nm 70MbitSRAM制造成功 —— 作者： 時(shí)間：2007-06-29 來(lái)源： 加入技術(shù)交流群 掃碼加入和技術(shù)大咖面對(duì)面交流海量資料庫(kù)查詢(xún) 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 日前，Intel宣布，他們采用最新的65納米工藝制造SRAM（靜態(tài)存儲(chǔ)器）取得了突破，他們成功的用65nm的工藝制造出了70Mbit的大容量靜態(tài)存儲(chǔ)器。 靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM）主要用作高速的存儲(chǔ)設(shè)備，例如處理器內(nèi)部的高速緩存等存儲(chǔ)設(shè)備。 05年11月，Intel首次宣布65nm制造工藝的時(shí)候就曾宣布成功制造了4Mbit的SRAM，現(xiàn)在能夠生產(chǎn)出70Mbit的SRAM將有助于將來(lái)處理器的制造。
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