瑞薩科技布，開發(fā)出一種具有45 nm（納米）及以上工藝的微處理器和SoC（系統(tǒng)級芯片）器件、低成本制造能力的超高性能晶體管技術(shù)。新技術(shù)利用瑞薩開發(fā)的專有混合結(jié)構(gòu)（在2006年12月以前發(fā)布的一種先進(jìn)技術(shù)）改善了CMIS（注1）晶體管的性能。瑞薩已經(jīng)在2007年6月12日于日本京都舉行的2007年超大規(guī)模集成電路技術(shù)專題研討會（2007 Symposium on VLSI Technology）上闡述了這一新的、增強(qiáng)的混合結(jié)構(gòu)，并演示了測試數(shù)據(jù)。

像以前的技術(shù)一樣，新的半導(dǎo)體制造技術(shù)有一個(gè)采用氮化鈦（TiN）金屬柵極的P型晶體管，以及一個(gè)采用傳統(tǒng)多晶硅柵極的N型晶體管。不過，新的P型晶體管采用兩層?xùn)艠O結(jié)構(gòu)，而不是單層?xùn)艠O，以更有效地控制門限電壓（注2）。而且，新型混合結(jié)構(gòu)利用應(yīng)變硅制造技術(shù)來提升驅(qū)動電流能力。與以前的瑞薩混合結(jié)構(gòu)相比，這些創(chuàng)新產(chǎn)品的性能大約提高了20%。重要的是，新型結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)低成本制造，因?yàn)樗恍枰獙δ壳暗闹圃旃に囘M(jìn)行重大改變。

一個(gè)包含40 nm柵極長度晶體管的實(shí)驗(yàn)芯片已經(jīng)制造完成。對這個(gè)芯片的測試數(shù)據(jù)證實(shí)了其全球頂級水平的驅(qū)動性能：在1.2 V電源電壓條件下，N型晶體管為1,068μA/μm，P型晶體管為555μA/μm。