富士通在2007年5月16日開(kāi)幕的“第10屆嵌入系統(tǒng)開(kāi)發(fā)技術(shù)展（ESEC）”上，參考展出了配備強(qiáng)電介質(zhì)內(nèi)置內(nèi)存（FeRAM，鐵電內(nèi)存）的通用8bit微控制器。評(píng)測(cè)用芯片“MB95RV100”近日即可供應(yīng)，計(jì)劃2008年前后量產(chǎn)供貨。CPU內(nèi)核采用“F2MC-8FX”，工作頻率為10MHz。首先面向密鑰數(shù)據(jù)的保存用途投放市場(chǎng)。  

配備FeRAM的微控制器最初只應(yīng)用于數(shù)據(jù)保存區(qū)域（原有微控制的RAM部分）。程序保存區(qū)域預(yù)定以掩膜ROM的形式提供。產(chǎn)品系列計(jì)劃對(duì)于數(shù)據(jù)保存用途推出FeRAM分別為4KB、12KB、32KB的3種產(chǎn)品，對(duì)于程序保存用途推出掩膜ROM分別為16KB、32KB、48KB的3種產(chǎn)品。  

在微控制器上配備FeRAM時(shí)，從原理上說(shuō)，能夠?qū)崿F(xiàn)ROM/RAM區(qū)域的共享，設(shè)計(jì)人員可自由設(shè)定ROM和RAM各自的分配容量，此次的量產(chǎn)產(chǎn)品將采用掩膜ROM。但此次展出的評(píng)測(cè)用芯片方面，ROM和RAM均采用的是FeRAM。  

富士通表示，配備FeRAM的微控制器量產(chǎn)產(chǎn)品的成本可達(dá)到與內(nèi)置閃存的微控制器同等水平。內(nèi)置閃存的微控制器方面，需要配備用于向閃存寫(xiě)入信息的升壓電路，而FeRAM則不需要該電路，因此，在地址空間狹小且ROM/RAM容量小的8bit微控制器等領(lǐng)域，除寫(xiě)入時(shí)間快這一原本就具有的優(yōu)點(diǎn)外，F(xiàn)eRAM還有成本方面的優(yōu)勢(shì)。不過(guò)，在內(nèi)存單元方面，F(xiàn)eRAM的尺寸要比閃存大。因此，像32bit微控制器這樣需要配備大容量ROM/RAM的用途方面，“仍然是內(nèi)置閃存的微控制器更具優(yōu)勢(shì)”（富士通）。  

富士通的FeRAM此前已應(yīng)用于面向非接觸IC卡等特定用途的ACIC等，在通用微控制器上配備FeRAM還是首次。