在5月18-25日，DRAM內(nèi)存價格終于出現(xiàn)了反彈，業(yè)界分析家對該現(xiàn)象是標(biāo)志著大范圍的調(diào)整開始還是僅僅是一個短期現(xiàn)象持有不同意見。

據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，從5月18日開始，包括eTT在內(nèi)各種頻率型號的512MB DDR2內(nèi)存現(xiàn)貨價格據(jù)呈上升勢頭。在所有類型當(dāng)中，eTT壓低內(nèi)存升幅最大，達(dá)到16%。

一些業(yè)內(nèi)人士擔(dān)心DRAM現(xiàn)貨市場的價格反彈將會影響DRAM合同價格的調(diào)整。來自DRAM內(nèi)存廠商的消息稱現(xiàn)還沒有收到電腦廠商需求急劇變化的反饋，而來自內(nèi)存模組廠的消息稱，由于DRAM廠商拒絕為戴爾等電腦廠商提供更低的內(nèi)存報價是這次價格上升的主要原因。現(xiàn)在，eTT內(nèi)存芯片1.35美金的價格已經(jīng)幾乎接近DRAM廠商的成本價。

DRAM廠商為了防止價格繼續(xù)下滑已經(jīng)降低了產(chǎn)量，這也是近期價格上揚(yáng)的原因之一。觀察各家DRAM廠商近期的生產(chǎn)計劃可以發(fā)現(xiàn)，所有廠家均降低了產(chǎn)量，因此到6月份在市場上應(yīng)該看到由此引起的價格變化。