近日，應(yīng)用材料公司宣布推出Applied Producer® Celera™ PECVD(等離子體強(qiáng)化化學(xué)氣相沉積) 系統(tǒng)，它能實(shí)現(xiàn)在45納米及更小技術(shù)節(jié)點(diǎn)的器件上生產(chǎn)速度更快的晶體管所需要達(dá)到的應(yīng)力水平，是應(yīng)力工程技術(shù)(Strained engineering technology) 的一個(gè)巨大進(jìn)步。該系統(tǒng)結(jié)合應(yīng)用材料的Nanocure™ UV（紫外線）處理技術(shù)以及改進(jìn)型氮化物沉積反應(yīng)腔，把薄膜張力提高了超過(guò)30%，達(dá)到了業(yè)界領(lǐng)先的1.7GPa等級(jí)，并可擴(kuò)展至超過(guò)2.0GPa。在鍺硅凹型源漏結(jié)構(gòu)的應(yīng)用中，同一個(gè)沉積反應(yīng)腔可以沉積最高達(dá)3.5GPa的壓力薄膜，使驅(qū)動(dòng)電流提高超過(guò)85%。

　　Producer Celera系統(tǒng)的關(guān)鍵是其完整的多級(jí)沉積和處理工藝，使得NMOS 器件中PECVD的張力達(dá)到了業(yè)界最高。整個(gè)工藝在同一系統(tǒng)中進(jìn)行，不必接觸空氣，使器件可靠性和性能得到了最大化。

　　應(yīng)用材料公司資深副總裁，薄膜事業(yè)部總經(jīng)理Farhad Moghadam博士表示：“Producer Celera是第一臺(tái)在同一主機(jī)上整合了應(yīng)力形成氮化物沉積和UV處理技術(shù)的系統(tǒng)，這是和其他產(chǎn)品最重要的不同之處。對(duì)于張力的增加能夠顯著提高性能的NMOS器件來(lái)說(shuō)，它突破了性能提升的障礙。其獨(dú)特的配置已經(jīng)經(jīng)過(guò)了驗(yàn)證，并被用于多家客戶(hù)在全球的生產(chǎn)?！?/P>

　　多重應(yīng)力工程薄膜經(jīng)常被先進(jìn)器件所采用來(lái)提高晶體管驅(qū)動(dòng)電流，從而優(yōu)化其速度和功耗性能。應(yīng)力薄膜和新型高K/金屬柵極技術(shù)的結(jié)合將進(jìn)一步推動(dòng)芯片縮小超越45納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)，使摩爾定律得以繼續(xù)生效。