據(jù)業(yè)界消息稱，由于美光科技公司(Micron Technology, Inc.)、爾必達(dá)(ELPIDA MEMORY) 和海力士半導(dǎo)體（Hynix Semiconductor Inc.)等三家內(nèi)存廠商提高了DRAM的產(chǎn)量，因此DRAM內(nèi)存價(jià)格近期出現(xiàn)大幅下跌。

　　據(jù)悉，這三家廠商紛紛調(diào)整調(diào)整產(chǎn)能，將之前生產(chǎn)其它類型產(chǎn)品的生產(chǎn)線全部轉(zhuǎn)而生產(chǎn)DRAM內(nèi)存。據(jù)預(yù)測(cè)，07年第二季度受上述三家廠商產(chǎn)能調(diào)節(jié)影響，全球DRAM內(nèi)存產(chǎn)量將增長(zhǎng)20-30%。

　　美光科技由于預(yù)測(cè)07年受手機(jī)市場(chǎng)帶動(dòng)，CIS（CMOS圖像傳感器）需求會(huì)有大規(guī)模上升，因此調(diào)整很大部分產(chǎn)能用于生產(chǎn)CIS，但實(shí)際上市場(chǎng)需求并未達(dá)到預(yù)期。

　　爾必達(dá)之前預(yù)測(cè)2007年消費(fèi)電子市場(chǎng)將會(huì)出現(xiàn)迅猛增長(zhǎng)，但由于幾個(gè)月來消費(fèi)電子類產(chǎn)品一直并沒有大起色，因此也造成了爾必達(dá)為消費(fèi)電子類產(chǎn)品制造的DRAM內(nèi)存庫(kù)存積壓嚴(yán)重，故爾必達(dá)重新調(diào)整了產(chǎn)能，轉(zhuǎn)而生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)DRAM產(chǎn)品。

　　由于在NAND閃存制造工藝上比三星和東芝落后，因此海力士半導(dǎo)體決定增大DRAM內(nèi)存產(chǎn)量。在數(shù)月后NAND閃存制造工藝趕上競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手后，公司將重新調(diào)整產(chǎn)能生產(chǎn)NAND閃存。