RF Micro Devices(RFMD)公司已開始為頂級手機制造商生產(chǎn)并發(fā)運支持EDGE的四頻帶功率放大器模塊。該模塊將所有四個頻帶整合到一個GaAs HBT芯片上，取消了對外部陶瓷耦合器、檢測器二極管和多個無源組件的需要。并且采用了創(chuàng)新型四層高密度互連(HDI)層壓封裝，與諸如陶瓷、LTCC 或基板等其他多層封裝相比，該封裝所需的成本更低。通過提供單個低成本、高效率的小型四頻帶器件，并使單個手機參考平臺跨包括EDGE在內(nèi)的所有GSM衍生空中接口標準，RFMD 簡化了客戶的手機設(shè)置。