據Dramexchange消息，4月下半月的DRAM合約價格下跌到了20美元左右，這也影響到了現貨市場的價格走勢。面向2007年下半年PC銷售旺季，PC廠商將增加庫存，預計DRAM需求將隨之增長。因此，DRAM價格可能在2007年下半年觸底。價格持續(xù)下滑，已使DRAM廠商瀕臨虧損。向更先進的生產工藝轉移，以及提高1GB芯片的出貨量，將是決定2007年下半年DRAM廠商業(yè)績的兩大因素。

由于需求仍然疲軟，現貨市場的價格環(huán)境保持低迷。DDR2 512MB 667MHz跌到了2.57美元附近，DDR2 eTT跌到了2.05美元左右。由于PC OEM廠商處理多余庫存，合約市場的價格也在下跌。DDR2 667MHz 512MB的合約價格大致持穩(wěn)于20美元，甚至更低的水平。

目前DRAM合約價格的下降幅度大于當初預期，主要是因為PC市場處于需求淡季，以及供需嚴重失衡。DRAM廠商的月產能不斷上升，迫使它們以極低的價格出售。幸運的是，由于PC廠商的庫存水平目前較低，以及季末公布財報的活動接近尾聲，DRAM需求可能開始回升。另外再加上2007年下半年PC市場旺季即將來臨，DRAM價格可能即將反彈。



資料來源：Dramexchange，2007年4月

面對價格持續(xù)下跌的局面，廠商正在竭力進一步削減成本。例如，美光最近宣布，利用78納米工藝成功地開發(fā)出了1.5V DDR2芯片。這樣低的電壓，可以節(jié)省大約24%的功耗。由于美光成本不占優(yōu)勢的8英寸工藝占了很大比例，它正在推出特殊規(guī)格的芯片，以避開商品類DRAM市場中激烈的價格競爭。三星和海力士半導體，則已開始利用68和66納米工藝試生產，同時提高2007年下半年1GB芯片的出貨比例。另一方面，臺灣廠商則在繼續(xù)提高12英寸工廠的產能。無需多言，隨著產能快速上升，DRAM廠商引入的成本下降機制將在其未來的競爭中發(fā)揮重要作用。

NAND閃存供應商加快開發(fā)內置存儲產品

目前，約有三分之二的NAND閃存產能被用于存儲卡和USB驅動器。同時，另外三分之一則被分配給了內置存儲產品，或者使用標準的NAND閃存，或者使用集成式閃存。例如，三星在3月推出了GB moviNAND，由四個采用50納米工藝生產的16Gb芯片組成。據三星高管，這種產品將在2007年第二季度結束前投入量產。

東芝在其網站上發(fā)布了一款16GB嵌入式閃存，采用56納米工藝制造，由8個16Gb芯片組成。東芝將在6月向客戶提供樣品進行評測，計劃7月量產。

SanDisk也在2007年2月展示了iNAND產品，密度從256MB到4GB，將主要面向采用微驅動器的移動通訊產品。

隨著NAND閃存生產向更高級的工藝過渡，相關成本進一步下降，移動通訊產品生產商開始日益青睞嵌入式閃存。計劃在6月發(fā)布的Apple iPhone，將包括4GB或8GB款式，預計將推動更多的廠商采用內置式閃存作為存儲解決方案。這些動態(tài)也在使集成式閃存越來越受歡迎。