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            應(yīng)用材料推出45納米光掩膜刻蝕技術(shù)設(shè)備

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            作者: 時(shí)間:2007-05-02 來源:EEPW 收藏
            近日,公司宣布推出先進(jìn)的AppliedCenturaTetraTMIII掩膜刻蝕設(shè)備,它是目前唯一可以提供光掩膜刻蝕所需要的至關(guān)重要的納米制造技術(shù)系統(tǒng)。TetraIII通過控制石英掩膜把刻槽深度控制在10Å以內(nèi),同時(shí)把臨界尺寸損失減小到10nm以下,使客戶可以在最重要的器件層交替使用相移掩膜和強(qiáng)有力的光學(xué)臨近修正技術(shù)。該系統(tǒng)為基于鉻、石英、氮氧硅鉬等多種新材料的下一代光刻技術(shù)應(yīng)用提供無差錯(cuò)、高產(chǎn)能的刻蝕工藝。 
                  
            公司資深副總裁,刻蝕、清潔、前道和離子注入產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理TomSt.Dennis表示:“TetraIII系統(tǒng)在先進(jìn)的二元掩膜及相移掩膜應(yīng)用中的出色表現(xiàn)是幫助客戶實(shí)現(xiàn)45nm及更小技術(shù)節(jié)點(diǎn)掩膜產(chǎn)品的關(guān)鍵。隨著業(yè)界開發(fā)出一些潛在的新一代光刻解決方案,相關(guān)應(yīng)用也以前所未有的速度不斷涌現(xiàn)。TetraIII系統(tǒng)能夠勝任所有光刻應(yīng)用,在各種不同的光掩膜材料上完成刻蝕工作?!?nbsp; 

            AppliedCenturaTetraIII系統(tǒng)所具有的超潔凈和技術(shù)擴(kuò)展平臺(tái)使客戶可以在最先進(jìn)的掩膜上實(shí)現(xiàn)目前所能達(dá)到的最高產(chǎn)出。


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