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            英特爾出擊閃存市場 借StrataFlash戰(zhàn)AMD

            作者: 時間:2005-04-11 來源:新浪科技 收藏
                北京時間4月8日消息,據(jù)國外媒體報(bào)道,在PC處理器市場保持著對AMD的絕對領(lǐng)先優(yōu)勢,但在NOR閃存領(lǐng)域卻被AMD壓過一頭。為了改變這一現(xiàn)狀,同時也延續(xù)自身在NOR閃存市場的增長勢頭,將于近日推出新型StrataFlash嵌入式閃存。  

              英特爾發(fā)言人瑪莉-雷格蘭德(Mary Ragland)表示,StrataFlash嵌入式閃存將有多種不同的型號,容量由64MB直到1GB,足以滿足數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)和網(wǎng)絡(luò)路由器等多種消費(fèi)電子產(chǎn)品的需求。她說:“這是近年來StrataFlash產(chǎn)品系列的第一款新品,它的出現(xiàn)可以從很大程度上緩解廠商對于高性能大容量閃存的需求?!庇⑻貭枌⒂诒炯径韧瞥鋈萘繛?4MB到512MB的StrataFlash嵌入式閃存,1GB容量的產(chǎn)品要到下半年才能上市。

              在關(guān)閉電源后閃存中存儲的數(shù)據(jù)并不會消失,因此它也就成為了消費(fèi)電子產(chǎn)品中存儲數(shù)據(jù)的最佳介質(zhì)。目前的閃存產(chǎn)品主要有兩種類型——NAND和NOR,在NAND閃存市場,三星電子一直獨(dú)秀,而NOR閃存市場則呈現(xiàn)出英特爾和AMD兩強(qiáng)爭霸的局面。市場研究公司iSuppli公布的最新數(shù)據(jù)顯示,AMD通過和富士通成立的合資企業(yè),2004年在NOR閃存市場占據(jù)了25.9%的市場份額,而英特爾以微小的差距排在第二位,其市場份額為24.5%。

              盡管2004年整體略遜,但第三季度和第四季度英特爾在市場份額上都超過了AMD。有分析人士將英特爾的成功歸結(jié)于產(chǎn)品價(jià)格便宜,英特爾副總裁達(dá)林-比勒貝克(Darin Billerbeck)并不完全贊同這種說法。他說:“我并不認(rèn)為我們依靠低價(jià)格取勝,我們也從來發(fā)動過價(jià)格攻勢。”他同時透露,由于去年第四季度高容量產(chǎn)品的銷量大幅度增長,英特爾閃存的平均售價(jià)還略有提升。

              2004年全球閃存市場的總產(chǎn)值達(dá)到了166億美元,比2003年的116.4億美元有大幅度的增長。iSuppli預(yù)計(jì),2005年全球閃存市場的總產(chǎn)值將增長5%,達(dá)到175億美元。到2008年,全球?qū)⒂?0%的手機(jī)中采用NOR閃存。

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