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            IDT推出最新先進存儲器緩沖器(AMB) 樣品

            作者: 時間:2004-12-21 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

              公司今天宣布推出最新先進緩沖器(AMB) 樣品,服務(wù)于多種全緩沖雙插線模塊(FB-DIMM)的生產(chǎn)商。這個新產(chǎn)品完全兼容JEDEC的AMB標準,是下一代高帶寬應(yīng)用產(chǎn)品的必備技術(shù),比如服務(wù)器和工作站,這些設(shè)備都要求更高的性能和大型的存儲容量。

              FB-DIMM信道架構(gòu)的一個關(guān)鍵功能就是在信道中的存儲控制器和模塊之間實現(xiàn)高速度、串行、點對點的連接。每個FB-DIMM上的AMB芯片負責收集和分配來自DIMM 的數(shù)據(jù),在芯片上進行內(nèi)部數(shù)據(jù)緩沖,并將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)至下一個DIMM或者存儲控制器。這種獨特的信道結(jié)構(gòu)減少了在帶寄存器的DIMM技術(shù)中很常見的緩沖時延問題,能夠使設(shè)計人員在單一的系統(tǒng)中應(yīng)用大量的DIMM。

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            關(guān)鍵詞: IDT 存儲器

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