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            PhotoMOS繼電器(下)

            作者: 時間:2004-11-19 來源:電子設(shè)計應(yīng)用2003年第6期 收藏

            當(dāng)今,隨著微電子化的顯著發(fā)展,在重視安全性方面,對裝置的可靠性要求逐漸提高,器件的可靠性是決定系統(tǒng)可靠性方面重要的一點。用LED與光電元件進(jìn)行輸入輸出傳導(dǎo),其壽命是半永久性的。

            本刊上期介紹了的控制電路,本期將討論的壽命和可靠性。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/3912.htm

            PhotoMOS繼電器的壽命
            開閉壽命
            PhotoMOS繼電器是由半導(dǎo)體元件構(gòu)成的半導(dǎo)體繼電器,與機(jī)械式繼電器有所不同,若在通常額定條件內(nèi)使用,不會因切換次數(shù)而影響壽命。
            LED發(fā)光效率隨使用時間的變化
            PhotoMOS繼電器的輸入部分使用的是GaAs的LED,會因長時間使用而造成LED的發(fā)光效率下降。
            通常,LED的通電電流越大,發(fā)光效率會越低。GaAs的LED發(fā)光效率隨使用時間而變化如圖1所示。原來的光電耦合器,因LED長時間使用而造成的發(fā)光效率降低,會對電氣特性造成非常大的影響。這是由于光電耦合器存在CTR(電流增幅率),輸入電流會使負(fù)載電流受到限制。因此,使用時要特別注意因LED老化而造成的發(fā)光效率降低、得不到所需負(fù)載電流的情況。
            另一方面,PhotoMOS繼電器是通過光電元件使LED光先轉(zhuǎn)換成電壓,再驅(qū)動切換元件MOSFET。
            因此,PhotoMOS繼電器的動作依靠于光電元件的輸出電壓。圖2表示輸入LED電流與光電元件輸出電壓的關(guān)系。在實際使用中,輸入電流為最小值即5mA以上時,光電元件的輸出電壓處于完全飽和區(qū)以內(nèi),另外,輸出功率MOSFET的導(dǎo)通電壓Vth約為3V,因此,即使LED發(fā)光效率降低,使用時光電元件輸出電壓也幾乎不會發(fā)生變化,可充分驅(qū)動輸出功率MOS。
            根據(jù)以上情況,PhotoMOS繼電器同光電耦合器一樣,最大負(fù)載電流無變化,可作為非常穩(wěn)定的切換元件長期使用。實驗結(jié)果如圖3所示,即使按額定輸入電流即10mA(HF型)或5mA(GU、RF型)進(jìn)行10萬小時的連續(xù)通電,動作LED電流的變化估計也只會停留在百分之幾。

            圖1  LED的△Pa隨時間變化

            圖2  LED電流-光電元件輸出電壓

            圖3 通電時間-動作LED電流

            PhotoMOS繼電器的可靠性因素
            PhotoMOS繼電器的可靠性,是由元件自身具有的應(yīng)力耐性,如對電應(yīng)力、熱應(yīng)力、機(jī)械性應(yīng)力、濕氣侵入等外部應(yīng)力的承受程度來決定的。因此,即使元件結(jié)構(gòu)有一部分較薄弱,應(yīng)力造成的反應(yīng)也會使該部分運(yùn)行異常,造成重大故障。
            下面對影響PhotoMOS繼電器可靠性的因素進(jìn)行討論。
            環(huán)境因素
            在考慮PhotoMOS繼電器可靠性因素時,除產(chǎn)品內(nèi)在的故障因素外,還需要考慮加速引發(fā)這些故障的外部應(yīng)力,即:環(huán)境因素。影響可靠性的使用環(huán)境因素如表1所示。這些因素通常是錯綜復(fù)雜的。例如:腐蝕造成斷線就是因溫度和濕度兩種因素引起的。
            應(yīng)力可分為自然環(huán)境因素和人為因素兩種情況。
            自然環(huán)境因素有溫度、濕度、氣壓、鹽份、雷擊造成的過電壓沖擊等。其中溫度和濕度是最重要的因素。一般情況下,溫度升高會使化學(xué)反應(yīng)速度加快,就會促進(jìn)物體的變化,因此,作為主要故障的機(jī)械性故障會由于升溫而加速。實際使用中,除該環(huán)境溫度外,也需要考慮到電力消耗帶來的自身發(fā)熱和因此而造成的溫度循環(huán)。溫度變化使熱膨脹率不同的物質(zhì)的接合部發(fā)生畸變應(yīng)力,反復(fù)出現(xiàn)會引起疲勞,造成氣體密封部位密封不良、芯片焊接接合不良、焊絲斷開等。另外,斷斷續(xù)續(xù)使用時,必須考慮使用器械或元件自身的發(fā)熱造成的影響。另一方面,濕度主要是吸附在物體表面而提高表面的電導(dǎo)率,增大漏泄電流,引起產(chǎn)品特性不良、動作不良,同時,還促進(jìn)化學(xué)及電化學(xué)的反應(yīng)而產(chǎn)生金屬腐蝕。特別是象PhotoMOS繼電器這種樹脂密封裝置,因內(nèi)部存在透過水分問題,因此,需對樹脂材料進(jìn)行大幅度改良。經(jīng)改良可達(dá)到不遜色于氣體密封的狀態(tài),使用中幾乎不會出現(xiàn)問題。
            人為因素有以下幾種:在搬運(yùn)裝載過程中發(fā)生摔落而造成的振動、安裝時的掉落等沖擊、印刷電路板焊錫時的加熱、焊錫后印刷電路板清洗中的超聲波振動等。
            器械、系統(tǒng)組合使用時的因素
            除自然環(huán)境及人為造成的物理性因素外,還有在PhotoMOS繼電器用于器械、系統(tǒng)時產(chǎn)生的因素。使用方法不當(dāng)時就會超出產(chǎn)品規(guī)格的最大額定。例如:用超過額定電壓使用時產(chǎn)生的過電壓破壞、按照低輸入電流使用時產(chǎn)生的動作不良、負(fù)載使用超過額定負(fù)載以上時造成破壞等的不良情況。
            作為參考,表2表示PhotoMOS繼電器使用中的事故與故障模式?!?/p>

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            關(guān)鍵詞: PhotoMOS繼電器 繼電器

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