瑞薩科技公司宣布開發(fā)出R1FV04G13R和R1FV04G14R 4千兆位(Gbit) AG-AND*1型閃存存儲(chǔ)器，可以提供世界上最快的10 M字節(jié)/秒編程速度，用于電影和類似應(yīng)用中的大容量數(shù)據(jù)的高速記錄。在2004年9月，將從日本開始樣品發(fā)貨，隨后在12月將開始批量生產(chǎn)。

　　R1FV04G13R和R1FV04G14R分別具有´8和´16位配置，可以提供下面的主要性能。

　　(1)世界上最快的4千兆位閃存存儲(chǔ)器（芯片）

　　作為實(shí)現(xiàn)了多級(jí)單元技術(shù)*2和高速度的第二階段AG-AND型閃存存儲(chǔ)器，R1FV04G13R和R1FV04G14R即使在4千兆位容量下，也能達(dá)到10 M字節(jié)/秒的快速編程速度。復(fù)制一個(gè)2小時(shí)的MPEG-4格式的電影，大約需要2分鐘就可以完成錄制。

　　(2)小型芯片尺寸

　　由于使用90 nm工藝和改進(jìn)的AG-AND閃存存儲(chǔ)器單元設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了世界上最小的存儲(chǔ)單元。與1千兆位AG-AND型閃存存儲(chǔ)器相比，每千兆位的芯片面積大約縮小了三分之二。

　　這些新產(chǎn)品的發(fā)布使得電影和音樂等大容量?jī)?nèi)容的快速下載和傳送成為可能。相應(yīng)地，其應(yīng)用領(lǐng)域也從過去僅局限于數(shù)碼相機(jī)和個(gè)人計(jì)算機(jī)，現(xiàn)在可以擴(kuò)展到移動(dòng)終端和數(shù)字家用設(shè)備，擴(kuò)大了使用閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)介質(zhì)的系統(tǒng)解決方案的應(yīng)用范圍。

< 產(chǎn)品詳情 >
 
　　使用R1FV04G13R和R1FV04G14R，可以在單個(gè)芯片上配置512M字節(jié)的記錄介質(zhì)，提供的存儲(chǔ)能力大約相當(dāng)于160分鐘的MPEG-4電影數(shù)據(jù)，大約等同于130個(gè)磁道的MP3音樂數(shù)據(jù)，或大約500張4兆象素的數(shù)碼相機(jī)相片。

　　R1FV04G13R和 R1FV04G14R的特性總結(jié)如下。

　　(1)世界上編程速度最快的4千兆位閃存存儲(chǔ)器（芯片），速度高達(dá)10 M字節(jié)/秒。

　　和1千兆位產(chǎn)品一樣，使用熱電子注入編程方法*3和在單個(gè)芯片內(nèi)同時(shí)進(jìn)行4組編程操作，通過使用多級(jí)單元技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了高達(dá)10 M字節(jié)/秒的編程速度。

　　(2)小型芯片尺寸

　　通過使用90 nm工藝和改進(jìn)的第一代AG-AND型閃存存儲(chǔ)器源－漏*4結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了世界上最小的0.016 μm2存儲(chǔ)單元面積。

　　與1千兆位 AG-AND型閃存存儲(chǔ)器相比，每千兆位芯片面積大約縮小了三分之二。
　
　　*  源－漏結(jié)構(gòu)的改進(jìn)：

　　使用了一種新結(jié)構(gòu)，在AG上加電壓時(shí)，硅襯底上形成的逆溫層*5構(gòu)成了存儲(chǔ)單元晶體管的源和漏。在常規(guī)的擴(kuò)散層*6結(jié)構(gòu)中，源和漏趨向于橫向擴(kuò)散，但是，由于逆溫層僅在AG下面的襯底的極淺區(qū)域形成，因此可以縮小存儲(chǔ)單元的面積。

　　(3)支持加電讀出功能（2K字節(jié)大?。?/P>

　　系統(tǒng)加電時(shí)，不需要命令或地址輸入，通過控制兩個(gè)控制線（/CE 針和/RE針）就可以讀出多達(dá)2K字節(jié)的數(shù)據(jù)。

　　(4)在編程操作過程中具有高速緩沖存儲(chǔ)器編程功能，在擦除操作過程中，具有可編程數(shù)據(jù)輸入功能。

　　在器件編程過程中，可以對(duì)下一步2 K字節(jié)的數(shù)據(jù)進(jìn)行高速緩沖存儲(chǔ)器編程的功能，最多可以進(jìn)行兩次（4 K字節(jié)）。這使得系統(tǒng)可以很容易地分配總線進(jìn)行下一個(gè)任務(wù)。

– 更多 –

　　在器件擦除過程中，可以進(jìn)行一次高達(dá)2 K字節(jié)的下一步數(shù)據(jù)輸入的功能。

　　(5)NAND接口

　　在命令級(jí)，R1FV04G13R和R1FV04G14R與NAND型閃存存儲(chǔ)器兼容，因此，對(duì)目前使用NAND型閃存存儲(chǔ)器的系統(tǒng)進(jìn)行很少的軟件修改，就可以使用它們。

　　電源電壓是3.3 V，使用的封裝形式是48針TSOP 1型封裝，與1千兆位AG-AND型閃存存儲(chǔ)器的封裝尺寸相同。

　　未來的計(jì)劃包括為R1FV04G13R和R1FV04G14R開發(fā)控制器，面向高速閃存卡的應(yīng)用開發(fā)，以及開發(fā)2千兆位AG-AND型閃存存儲(chǔ)器產(chǎn)品和使用新型存儲(chǔ)單元的1.8 V低壓產(chǎn)品。

 　　我們也計(jì)劃開發(fā)具有兩個(gè)層迭4千兆位AG-AND型閃存存儲(chǔ)器的大容量8千兆位產(chǎn)品，使用新的封裝形式（WFLGA: 超細(xì)節(jié)距柵格陣列），在2004年12月將開始高密度安裝。

< 開發(fā)支持工具 >

　　從2004年10月起，可以購(gòu)買功能描述模型和C 語言參考庫(kù)，作為使用這些閃存存儲(chǔ)器進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)的支持工具。

注釋：

　　1.AG-AND型閃存存儲(chǔ)器單元：使用場(chǎng)隔離方法的新型存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)，包括可以防止單元間干擾的交替輔助柵和浮動(dòng)?xùn)?。通過使用小溝道電流進(jìn)行熱電子注入，實(shí)現(xiàn)編程，與使用淺槽隔離的方法（通過形成開槽來隔離各個(gè)單元）相比，單元面積更小。

　　2.多級(jí)單元技術(shù)：一種適用于高密度閃存存儲(chǔ)器的技術(shù)，在縮小芯片尺寸方面卓有成效，它使用4個(gè)以上的值：比如00、 01、10和11，而通常的存儲(chǔ)器使用兩個(gè)值：0和1。使用4個(gè)值時(shí)，一個(gè)單元可以完成兩個(gè)常規(guī)單元的工作。

　　3.熱電子注入編程方法：將經(jīng)過溝道電場(chǎng)加速的高能量“熱”電子注入到浮動(dòng)?xùn)诺囊环N編程方法。單元的編程時(shí)間是10 μs或更少，比常規(guī)的隧道編程方法快一個(gè)數(shù)量級(jí)。

　　4.源和漏：MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體）晶體管的基本組成部分。通常通過離子注入的方法，在擴(kuò)散層形成源和漏。

　　5.逆溫層：對(duì)柵施加電壓時(shí)，在硅襯底的極淺區(qū)域產(chǎn)生了一個(gè)高密度電子區(qū)域。用作MOS晶體管的溝道。

　　6.擴(kuò)散層：離子被注入硅襯底，通過對(duì)該區(qū)域施加電壓產(chǎn)生高密度電子。這是在MOS晶體管上形成源和漏的常用方法。

< 典型應(yīng)用 >

　　用作高端數(shù)碼相機(jī)和硅器件電影設(shè)備中的大容量存儲(chǔ)介質(zhì)。

　　在使用高速接口如USB2.0的移動(dòng)終端中，作為大容量存儲(chǔ)介質(zhì)。

　　用于需要幾千兆字節(jié)存儲(chǔ)容量的硅器件音頻設(shè)備中。

　　硅器件便攜式閱讀器、數(shù)字電視廣播用圖像回放設(shè)備等。