英特爾公司負(fù)責(zé)處理器架構(gòu)和集成事務(wù)的主管馬克表示，英特爾公司將在其0.065微米工藝中集成許多變化。它已經(jīng)在用0.065微米工藝生產(chǎn)試驗(yàn)性的SRAM芯片。

根據(jù)芯片設(shè)計(jì)者的目標(biāo)，用0.065微米工藝生產(chǎn)的芯片能夠提高芯片的性能或降低能耗，或者能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)這兩個(gè)目標(biāo)，但英特爾公司把重點(diǎn)放在了節(jié)能上。

與不使用張力硅技術(shù)的芯片相比，增強(qiáng)版張力硅能夠使芯片的性能提高30%，并能將泄露電流降低4倍。馬克說，通過使用張力硅技術(shù)，英特爾公司至少保持了一代的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。采用增強(qiáng)版張力硅技術(shù)，能夠增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)電流和減少電流泄露。張力硅技術(shù)也已經(jīng)開始在IBM、AMD等公司的芯片中使用。

摩爾定律的核心是減小晶體管的體積和晶體管組件的數(shù)量。通常更小的晶體管速度更快，將能夠生產(chǎn)出更小、更廉價(jià)、更好和更節(jié)能的芯片。在試驗(yàn)的SRAM芯片中，1000萬個(gè)晶體管能夠集成在原子筆尖大小的面積上。芯片產(chǎn)業(yè)按照摩爾定律發(fā)展了30多年，芯片的集成度已經(jīng)大大提高了，這使芯片的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)的難度進(jìn)一步提高。

氧化物柵極是0.065微米工藝芯片中的另一個(gè)改進(jìn)，在0.065微米工藝芯片中柵極的長(zhǎng)度更短，這將能夠提高晶體管的性能。通過保持厚度不變，電容將能夠降低20%，從而減少了可能發(fā)生的電流泄露。

0.065微米工藝芯片中還將包含能夠切斷其它晶體管電源的睡眠晶體管。盡管馬克對(duì)這些晶體管的節(jié)能效果無法準(zhǔn)確地進(jìn)行量化，但它可能有效地節(jié)省相當(dāng)多的能耗和減少泄露電流。他說，這個(gè)技術(shù)具有顯而易見的降低電流泄露的作用。

在英特爾公司的0.065微米工藝芯片中不包含絕緣硅（SOI）技術(shù)。一種名為“超薄SOI”的技術(shù)英特爾公司曾經(jīng)做過試驗(yàn)，但它認(rèn)為，“超薄SOI”的節(jié)能效果將由使用三柵極晶體管來完成。