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            采用DC-DC模塊的無人機(jī)電源解決方案

            作者:劉旭亮 時(shí)間:2015-12-09 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏
            編者按:在設(shè)計(jì)針對無人機(jī)(UAV)的電源系統(tǒng)時(shí),設(shè)計(jì)人員所關(guān)心的參數(shù)是尺寸、重量、功率密度、功率重量比、效率、熱管理、靈活性和復(fù)雜性。體積小、重量輕、功率密度高(SWaP)可以讓無人機(jī)攜帶更多的有效載荷,飛行和續(xù)航時(shí)間更長,并完成更多的任務(wù)。更高的效率可以盡可能利用能源效率,最大限度地提高續(xù)航時(shí)間和飛行時(shí)間,也使熱管理盡可能容易,因?yàn)榧词故歉俚墓β蕮p耗都會(huì)傳遞熱量。高度靈活性和低復(fù)雜性可以使電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)更加容易,并讓無人機(jī)設(shè)計(jì)人員專注于無人機(jī)設(shè)計(jì)的其他部分,而不是花太多時(shí)間在電源系統(tǒng)設(shè)計(jì);它縮短了設(shè)計(jì)時(shí)間,并使

              如圖8所示,ZVS升壓-降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有四個(gè)級。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/283526.htm

              (1)Q1和Q4導(dǎo)通為變壓器儲(chǔ)存能量,然后是ZVS過渡的Q3導(dǎo)通。

              (2)Q1和Q3導(dǎo)通為從輸入到輸出提供路徑,然后是ZVS過渡的Q2導(dǎo)通。

              (3) Q2和Q3對續(xù)流級導(dǎo)通,然后是ZVS過渡的Q4導(dǎo)通。

              (4)在箝位階段Q2和Q4導(dǎo)通,然后是ZVS過渡的Q1導(dǎo)通。

              完成4級之后,就是一個(gè)循環(huán)。

            7 28V/270V輸入源到多路輸出DC-DC轉(zhuǎn)換

              由于有效載荷,如航空、數(shù)據(jù)鏈路、雷達(dá)、飛行控制系統(tǒng)都需要一個(gè)15V、12V、5V、3.3V的電壓范圍,需要下游DC-DC轉(zhuǎn)換器或niPoL提供所需電壓作為有效載荷的多路輸出,如圖9所示。

              除了整流器,還有非穩(wěn)壓和非隔離的270VDC,這個(gè)MIL-COTS DCM DC-DC轉(zhuǎn)換器和Picor ZVS降壓穩(wěn)壓器可提供經(jīng)隔離和穩(wěn)壓的多路輸出。

              在第一級,MDCM DC-DC將一個(gè)非穩(wěn)壓輸入(28V或270V)轉(zhuǎn)換為一個(gè)經(jīng)隔離和穩(wěn)壓的28V,然后通過下游非隔離式ZVS穩(wěn)壓器轉(zhuǎn)換為多路輸出。

              在后一級,Coop Power ZVS降壓穩(wěn)壓器將28V轉(zhuǎn)換為負(fù)載所需的電壓。

              DCM是一個(gè)隔離和穩(wěn)壓的DC-DC轉(zhuǎn)換器。ZVS降壓穩(wěn)壓器是一個(gè)穩(wěn)壓和非隔離的DC-DC轉(zhuǎn)換器,如圖10所示。

              在上一段已經(jīng)提到,為了有更高的效率,不會(huì)重復(fù)隔離和穩(wěn)壓。

              雖然穩(wěn)壓是由DCM和ZVS降壓穩(wěn)壓器重復(fù)進(jìn)行的,由于ZVS降壓穩(wěn)壓器的高效率,從高電壓到所需電壓的整體效率可以達(dá)到高于90%。

            8 ChiP——轉(zhuǎn)換器級封裝

              DCM DC-DC轉(zhuǎn)換器通過突破性封裝技術(shù)——轉(zhuǎn)換器級封裝(ChiP)技術(shù)進(jìn)行封裝。

              為了實(shí)現(xiàn)更高的功率效率、密度和設(shè)計(jì)靈活性,需要功率元件封裝技術(shù)的持續(xù)改進(jìn),因此,ChiP的推出優(yōu)化了電氣和熱性能。

              ChiP產(chǎn)品的設(shè)計(jì)在PCB兩面都有功率元件,可減少由于寄生的損耗,通過整個(gè)封裝均勻徹底地散熱,并利用了頂部和底部表面散熱。

              ChiP產(chǎn)品封裝在熱增強(qiáng)型模壓化合物中,降低了溫差,為便于使用熱管理配件,提供了平整的模塊頂部和底部表面,如散熱器、冷板、熱管等。

            9 ZVS降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

              如圖11所示,除了一個(gè)連接在輸出電感器兩端的附加箝位開關(guān),ZVS降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)降壓轉(zhuǎn)換器相同。增加的箝位開關(guān)允許將能量存儲(chǔ)在輸出電感器中,用來實(shí)現(xiàn)零電壓開關(guān)。

              圖12顯示了ZVS降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的時(shí)序圖,它主要由三個(gè)狀態(tài)組成,如下所示。

            9.1 Q1導(dǎo)通階段

              假設(shè)Q1在諧振過渡后的近零電壓開啟。當(dāng)D-S電壓幾乎為0時(shí),Q1在零電流開啟。MOSFET和輸出電感器中的電流斜升,準(zhǔn)時(shí)達(dá)到由Q1決定的峰值電流。在Q1導(dǎo)通階段,能量存儲(chǔ)在輸出中,并為輸出電容器充電。在Q1導(dǎo)通階段,Q1中的功耗是由MOSFET導(dǎo)通電阻決定的;開關(guān)損耗可以忽略不計(jì)。

            9.2 Q2導(dǎo)通階段

              Q1迅速關(guān)閉,接著是一個(gè)很短時(shí)間的體二極管導(dǎo)通,這增加了可以忽略不計(jì)的功耗。接下來,Q2開啟,存儲(chǔ)在輸出電感器中的能量被傳送到負(fù)載和輸出電容器。當(dāng)電感器電流達(dá)到0時(shí),同步MOSFET保持足夠長的時(shí)間,在輸出電感器中存儲(chǔ)一些來自輸出電容器的能量。電感器電流為負(fù)值。

            9.3 箝位階段

              一旦控制器已確定有足夠的能量存儲(chǔ)在電感器中,同步MOSFET關(guān)閉,箝位開關(guān)開啟,箝位Vs節(jié)點(diǎn)至輸出電壓。箝位開關(guān)隔離輸出電感器電流與輸出,同時(shí)以幾乎無損的方式用電流來循環(huán)存儲(chǔ)的能量。在箝位階段,由輸出電容器提供的輸出在該階段持續(xù)很短時(shí)間。

              當(dāng)箝位階段結(jié)束時(shí),箝位開關(guān)被打開。輸出電感器中儲(chǔ)存的能量與Q1和Q2輸出電容產(chǎn)生諧振,導(dǎo)致Vs節(jié)點(diǎn)對輸入電壓振鈴。

              這個(gè)振鈴對Q1的輸出電容放電,減少了Q1的米勒電荷,并為Q2的輸出電容充電。當(dāng)Vs節(jié)點(diǎn)幾乎等于輸入電壓時(shí),這允許以無損方式方式開啟Q1。

            10 數(shù)據(jù)鏈的電源解決方案

              如圖14所示,對于數(shù)據(jù)鏈解決方案,Picor濾波模塊(MPQI-18)和DC-DC模塊(Cool-Power PI31xx)可用來提供針對12V和15V的50W(總共100W),以符合MIL-STD-461E EMI要求。

              MQPI-18是一個(gè)采用LGA封裝(25×25×4.5mm,2.4G)的濾波模塊,用來滿足MIL-STD-461E的EMI要求。

              MIL級Cool-Power DC-DC轉(zhuǎn)換器采用PSiP(22×16.5×6.7mm,7.8g)封裝,用來為所需電壓提供寬范圍輸入(16-50V)。

              采用Picor濾波模塊和DC-DC轉(zhuǎn)換器模塊的解決方案可以兼容MIL-STD461E,而不是大尺寸的被動(dòng)元件,可實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)鏈及其他設(shè)備的高密度電源解決方案。

            參考文獻(xiàn):

              [1]SAC和ZVS升壓-降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):分比式電源架構(gòu)和VI Chip

              [2]ZVS降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):高性能ZVS降壓穩(wěn)壓器

              [3]ChiP封裝:ChiP熱管理


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