在英特爾(Intel)、臺積電的SRAM仍停留在14納米、16納米制程時，三星電子(Samsung Electronics)已搶先研發(fā)出10納米FinFET制程SRAM，這也意味著距離10納米邏輯芯片量產更近一步。

　　速度較DRAM快的SRAM，可運用為中央處理器(CPU)緩存存儲器。完成研發(fā)10納米SRAM，也意味著三星在同制程系統(tǒng)芯片生產準備作業(yè)正順利進行。照此趨勢，2017年初將可正式量產采10納米制程的移動應用處理器(AP)。10納米AP將與GB級數據機芯片整合，移動裝置速度將更快。

　　據南韓ET NEWS報導，三星將在國際固態(tài)半導體研討會(ISSCC)中發(fā)表的10納米FinFET制程SRAM容量為128Mb，Cell面積為0.040μm2。Cell面積較三星先前發(fā)表的14納米SRAM縮減37.5%。三星在研討會論文中強調，該產品為以最小面積實現高速驅動的大容量緩存存儲器。搭載該SRAM的智能型手機AP晶粒(Die)面積也最小化，且性能獲改善。

　　發(fā)表10納米FinFET SRAM，也意味著三星在次世代系統(tǒng)芯片研發(fā)進度上，超越了臺積電和英特爾。內建CPU核心的系統(tǒng)芯片搭載緩存存儲器，需要前導研發(fā)作業(yè)。報導稱，三星和臺積電在2014年2月的ISSCC中，各自發(fā)表14、16納米SRAM，然在實際商用化方面，三星速度較快。英特爾以高難度制程會使成本提升為由，將10納米系統(tǒng)芯片研發(fā)進程從2016年推遲到2017年以后。三星則以2016年底商用化10納米制程為目標努力。

　　此外，三星也領先業(yè)界研發(fā)出14納米平面NAND Flash。日系大廠東芝(Toshiba)和美國美光(Micron)只發(fā)展到15~16納米制程，并表示將不會再研發(fā)平面NAND Flash。與16納米相比，14納米NAND Flash浮動閘極(Floating Gate)約縮減12.5%，晶粒面積縮小，對降低NAND Flash生產成本將帶來貢獻。

　　研發(fā)出14納米平面NAND Flash，也將大幅提升三星存儲器事業(yè)部的獲利率。目前平面NAND Flash進展到16納米制程并已量產。過去南韓業(yè)界認為15~16納米已抵達平面NAND Flash的發(fā)展上限，未來將迅速轉換到垂直堆疊的3D NAND Flash。然三星成功研發(fā)出14納米制程，增加平面NAND Flash的競爭力。

　　三星在ISSCC發(fā)表的14納米NAND Flash為128Gb容量的MLC產品。之后若量產，將以內嵌式存儲器(eMMC)、UFS(Universal Flash Storage)介面供應。