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            EEPW首頁(yè) > 模擬技術(shù) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 一種簡(jiǎn)單實(shí)用的雙向電平轉(zhuǎn)換電路(非常實(shí)用!)3.3V--5V

            一種簡(jiǎn)單實(shí)用的雙向電平轉(zhuǎn)換電路(非常實(shí)用!)3.3V--5V

            作者: 時(shí)間:2015-11-19 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

              當(dāng)你使用3.3V的單片機(jī)的時(shí)候,就在所難免了,經(jīng)常會(huì)遇到3.3轉(zhuǎn)5V或者5V轉(zhuǎn)3.3V的情況,這里介紹一個(gè)簡(jiǎn)單的電路,他可以實(shí)現(xiàn)兩個(gè)電平的相互轉(zhuǎn)換(注意是相互哦,雙向的,不是單向的!).電路十分簡(jiǎn)單,僅由3個(gè)電阻加一個(gè)MOS管構(gòu)成。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/283054.htm

              電路圖如下:

              

             

              3.3-5V轉(zhuǎn)換.jpg

              上圖中,S1,S2為兩個(gè)信號(hào)端,VCC_S1和VCC_S2為這兩個(gè)信號(hào)的高電平電壓.另外限制條件為:

              1,VCC_S1<=VCC_S2.

              2,S1的低電平門(mén)限大于0.7V左右(視NMOS內(nèi)的二極管壓降而定).

              3,Vgs<=VCC_S1.

              4,Vds<=VCC_S2

              對(duì)于3.3V和5V/12V等電路的相互轉(zhuǎn)換,NMOS管選擇AP2306即可.原理比較簡(jiǎn)單,大家自行分析吧!此電路我已在多處應(yīng)用,效果很好.

              

             

              I2C

              類(lèi)似這種吧,只是不知道這種電路的速率能達(dá)到多少

              器的操作

              在器的操作中要考慮下面的三種狀態(tài):

              1 沒(méi)有器件下拉總線線路。“低電壓”部分的總線線路通過(guò)上拉電阻Rp 上拉至3.3V。 MOS-FET 管的門(mén)極和源極都是3.3V, 所以它的VGS 低于閥值電壓,MOS-FET 管不導(dǎo)通。這就允許“高電壓”部分的總線線路通過(guò)它的上拉電阻Rp 拉到5V。 此時(shí)兩部分的總線線路都是高電平,只是電壓電平不同。

              2 一個(gè)3.3V 器件下拉總線線路到低電平。MOS-FET 管的源極也變成低電平,而門(mén)極是3.3V。 VGS上升高于閥值,MOS-FET 管開(kāi)始導(dǎo)通。然后“高電壓”部分的總線線路通過(guò)導(dǎo)通的MOS-FET管被3.3V 器件下拉到低電平。此時(shí),兩部分的總線線路都是低電平,而且電壓電平相同。

              3 一個(gè)5V 的器件下拉總線線路到低電平。MOS-FET 管的漏極基底二極管“低電壓”部分被下拉直到VGS 超過(guò)閥值,MOS-FET 管開(kāi)始導(dǎo)通。“低電壓”部分的總線線路通過(guò)導(dǎo)通的MOS-FET 管被5V 的器件進(jìn)一步下拉到低電平。此時(shí),兩部分的總線線路都是低電平,而且電壓電平相同。

              這三種狀態(tài)顯示了邏輯電平在總線系統(tǒng)的兩個(gè)方向上傳輸,與驅(qū)動(dòng)的部分無(wú)關(guān)。狀態(tài)1 執(zhí)行了電平轉(zhuǎn)換功能。狀態(tài)2 和3 按照I2C 總線規(guī)范的要求在兩部分的總線線路之間實(shí)現(xiàn)“線與”的功能。

              除了3.3V VDD1 和5V VDD2 的電源電壓外,還可以是例如:2V VDD1 和10V VDD2。 在正常操作中,VDD2必須等于或高于VDD1( 在開(kāi)關(guān)電源時(shí)允許VDD2 低于VDD1)。

              MOS-N 場(chǎng)效應(yīng)管 雙向電平轉(zhuǎn)換電路 -- 適用于低頻信號(hào)電平轉(zhuǎn)換的簡(jiǎn)單應(yīng)用

              MOS-N 場(chǎng)效應(yīng)管 雙向電平轉(zhuǎn)換電路 -- 適用于低頻信號(hào)電平轉(zhuǎn)換的簡(jiǎn)單應(yīng)用

              

             

              MOS-N 場(chǎng)效應(yīng)管 雙向電平轉(zhuǎn)換電路.jpg

              如上圖所示,是 MOS-N 場(chǎng)效應(yīng)管 雙向電平轉(zhuǎn)換電路。

              雙向傳輸原理:

              為了方便講述,定義 3.3V 為 A 端,5.0V 為 B 端。

              A端輸出低電平時(shí)(0V),MOS管導(dǎo)通,B端輸出是低電平(0V)

              A端輸出高電平時(shí)(3.3V),MOS管截至,B端輸出是高電平(5V)

              A端輸出高阻時(shí)(OC) ,MOS管截至,B端輸出是高電平(5V)

              B端輸出低電平時(shí)(0V),MOS管內(nèi)的二極管導(dǎo)通,從而使MOS管導(dǎo)通,A端輸出是低電平(0V)

              B端輸出高電平時(shí)(5V),MOS管截至,A端輸出是高電平(3.3V)

              B端輸出高阻時(shí)(OC) ,MOS管截至,A端輸出是高電平(3.3V)

              優(yōu)點(diǎn):

              1、適用于低頻信號(hào)電平轉(zhuǎn)換,價(jià)格低廉。

              2、導(dǎo)通后,壓降比三極管小。

              3、正反向雙向?qū)?,相?dāng)于機(jī)械開(kāi)關(guān)。

              4、電壓型驅(qū)動(dòng),當(dāng)然也需要一定的驅(qū)動(dòng)電流,而且有的應(yīng)用也許比三極管大。



            關(guān)鍵詞: 電平轉(zhuǎn)換

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