英特爾(Intel)進攻存儲器，將斥資改造大連廠，外界對此議論紛紛，擔心美光將受威脅，NAND flash恐會供過于求，不過有分析師認為，英特爾此舉是是為了自保，產量不會大到沖擊市場。

　　巴倫(Barronˋs)財經網站23日報導，富國銀行(Wells Fargo)分析師David Wong表示，英特爾和美光(Micron)合力發(fā)展的新存儲器技術“3D Xpoint”將是大連廠的生產重心，英特爾可從中獲利，但不會成為NAND flash的主要生產商，預料存儲器僅占該公司整體營收的一小部分。英特爾的存儲器產量不會多到打亂NAND市場的供需平衡。

　　里昂證券(CLSA)的Mark Heller認為，英特爾投資大連廠是為了自保，理由之一合資廠利潤太低。英特爾和美光的合資企業(yè)--IM Flash，英特爾能以成本價取得49%產出，但是目前此一工廠只生產2D NAND，并開始試產Xpoint，3D NAND則全數在美光的新加坡廠制造，意味英特爾想買3D NAND須以高于成本價購買，這會推高英特爾成本，該公司或許因此決定自行生產。

　　Heller舉出的第二個理由是，英特爾擔心美光移情別戀，另尋合作伙伴。美光擁有IM Flash的買權(call option)，能要求英特爾以帳面價格回售合資企業(yè)給美光，英特爾可能想自建3D NAND/Xpoint工廠，避免此一風險。第三個理由是3D NAND和Xpoint技術似乎多為美光所有。

　　彭博社先前報導，半導體業(yè)龍頭英特爾丟震撼彈，20日宣布將砸重金把位在中國大連的廠房改造成最頂尖的存儲器晶片廠。英特爾以處理器聞名，最早卻以生產存儲器起家，這次可算是重操舊業(yè)。大連工廠2010年開始營運，產線改頭換面完成后將在2016下半年投產。英特爾前三至五年計劃投資35億美元，之后還可能再追加至55億美元。

　　BusinessKorea 8月7日報導，英特爾、美光7月29日宣布開發(fā)出新世代存儲器技術“3D Xpoint”，儲存的資料比DRAM高出十倍，讀寫速度與耐受度更是NAND型快閃存儲器的1千倍之多，如此革新的技術讓三星電子、SK Hynix大為緊張。