提及中國的半導體產業(yè)，盡管我們在追趕中取得了不小的成績，但若將我們的投入與目前在市場中的影響力相比，顯然不能算成功，而從當下全球半導體產業(yè)的發(fā)展趨勢看，競爭愈演愈烈，退出、兼并和整合之勢越發(fā)明顯，AMD的隕落；德儀、愛立信和英偉達在移動芯片市場的無奈退出，預示著未來半導體產業(yè)的勝者將更多依賴企業(yè)自身龐大的資金實力和持續(xù)不斷的投入，這種現實之下，中國半導體產業(yè)要逆勢成長，甚至像業(yè)內所言的“彎道超車”談何容易。那么問題來了，中國半導體產業(yè)真的還有機會嗎？

日前，賽迪顧問發(fā)布的《中國IC 28納米工藝制程發(fā)展》白皮書針對中國半導體企業(yè)現狀和企業(yè)特點，首次提出了聯(lián)合創(chuàng)新發(fā)展模式和將28納米技術節(jié)點作為中國半導體產業(yè)“彎道超車”的策略。那么這種策略真的能給中國半導體產業(yè)帶來“彎道超車”的機會嗎？理由何在？
　　眾所周知，作為技術含量頗高的半導體產業(yè)，如何切入，或者說切入點和趕超點的選擇至關重要。如果過于超前，一來技術水平難度和風險過大，很可能無功而返；其次是從市場需求的角度看，也不足以實現市場化的支撐力，導致有技術無市場或市場相對較小而造成的空白期。相反，如果過于落后，不僅與全球半導體產業(yè)水平的差距越來越大，造成資源的無端浪費，同樣也背離了市場的主流需求。
　　在此，我們不得不提或者參照ITRS（International Technology Roadmap for Semiconductors國際半導體技術藍圖）技術節(jié)點的概念。該概念定義為“在工藝中實現重大進步”，或者說“每節(jié)點實現大約0.7倍的縮小”或“每兩個節(jié)點實現0.5倍的縮小”。而根據半導體工藝路線圖的演進，40納米的下一代工藝節(jié)點應該是32納米，然后是22納米。然而，產業(yè)界從40納米向下演進時，中間經過32納米卻很快跳躍到28納米。因為當工藝演進到32納米時，使用基本相同的光刻設備便可以延伸縮小至28納米。在成本幾乎相同的情況下，使用28納米工藝制程可以給產品帶來更加良好的性能優(yōu)勢。與40納米工藝相比，28納米柵密度更高、晶體管的速度提升了大約50%，而每次開關時的能耗則減小了50%。

另外，推動半導體產業(yè)前進的主要動力之一是光刻工藝尺寸的縮小。目前28納米采用的是193納米的浸液式方法，當尺寸縮小到22和20納米時，傳統(tǒng)的光刻技術已無能為力，必須采用輔助的兩次圖形曝光技術（double patterning，簡稱為DP）。然而這樣會增加掩膜工藝次數，從而致使成本增加和工藝循環(huán)周期的擴大。這就造成了20和22納米無論從設計還是生產成本上一直無法實現很好的控制，其成本約為28納米工藝成本的1.5—2倍左右。因此，綜合技術和成本等各方面因素，28納米都將成為未來很長一段時間內的關鍵工藝節(jié)點。
　　更為重要的是，從市場需求看，隨著28納米工藝技術的成熟，28納米工藝產品市場需求量呈現爆發(fā)式增長態(tài)勢，即從2012年的91.3萬片到2014年的294.5萬片，年復合增長率高達79.6%，并且這種高增長態(tài)勢將持續(xù)到2017年。之后隨著14和16納米工藝技術的逐漸進步，28納米產品的市場需求量將會出現小幅下滑。此外，28納米工藝技術因其性價比高、應用領域廣泛，預計還將持續(xù)4—5年。同樣是成本原因，14和16納米不會迅速成為主流工藝，因此，28納米工藝將會在未來很長一段時間內作為高端主流的工藝節(jié)點?？紤]到中國物聯(lián)網應用領域巨大的市場需求，28納米工藝技術預計在中國將持續(xù)更長時間，為6—7年。

除了技術節(jié)點的選擇外，每個產業(yè)都會因其特點具有自己獨特的發(fā)展模式，而了解產業(yè)的發(fā)展模式，做到知己知彼，方能百戰(zhàn)不殆。具體到半導體產業(yè)，主要有IDM和傳統(tǒng)的行業(yè)分工模式。
　　所謂IDM（Integrated Device Manufacturer），是指從設計到制造、封裝測試以及投向市場全包的運營方式。其特征是經營范圍覆蓋IC設計、芯片制造、封裝測試，甚至下游終端產品制造，代表企業(yè)有三星、英特爾等。該模式具備內部資源整合能力強、利潤高以及技術領先等優(yōu)勢，但也存在明顯弊端，例如生產運營成本高制約技術創(chuàng)新；技術進步難度大；產能和市場難以匹配。
　　相比上述一家企業(yè)大包大攬近乎于“一條龍”的IDM模式，傳統(tǒng)行業(yè)分工模式是指在半導體產業(yè)中，隨著分工的逐漸深入，已經形成專業(yè)的IP（知識產權）核、無生產線的IC設計（Fabless）、晶圓代工（Foundry）及封裝測試（Assembling & Testing）廠商。該模式的最大優(yōu)點是靈活性強，但劣勢也很明顯，例如工藝對接難度加大，延緩產品上市時間；Foundry標準化的工藝研發(fā)，不利于滿足客戶特色需求；各Foundry工藝不統(tǒng)一，增加了Fabless的適配難度。
　　與上述芯片產業(yè)傳統(tǒng)發(fā)展模式相比，聯(lián)合創(chuàng)新發(fā)展模式的優(yōu)勢明顯。首先，代工廠不再僅限于產業(yè)鏈中的制造，還可以參與到專業(yè)芯片的前期設計和后期服務。其次，聯(lián)合創(chuàng)新模式加快Foundry工藝進步速度，有助突破產業(yè)發(fā)展瓶頸；最后，這種模式可提高Fabless工藝適配能力，提升產品性能優(yōu)化空間。而從集成電路行業(yè)發(fā)展來看，新工藝與新材料的引入需要設計企業(yè)與制造企業(yè)緊密合作，需要半導體設計企業(yè)對工藝、器件有深入的理解。讓半導體設計企業(yè)加入到工藝研發(fā)過程中，可以結合工藝進行設計優(yōu)化，提高Fabless的工藝適配能力，提升產品性能的優(yōu)化空間，從而確保設計的產品在性能方面獲得優(yōu)勢，也能有效降低風險。
　　俗話說：事實勝于雄辯。在中國半導體產業(yè)中，聯(lián)合創(chuàng)新發(fā)展模式已被驗證。例如2014年高通與中芯國際宣布將雙方的長期合作拓展至28納米晶圓制造，中芯國際借此成為中國內地第一家在最先進工藝節(jié)點上生產高性能、低功耗手機處理器的晶圓代工企業(yè)。而僅僅一年多時間，中芯國際28納米芯片組已經實現商用。作為雙方28納米制程工藝合作的一部分，高通為中芯國際提出實際的產品需求。這對幫助中芯國際利用、改進和完善其生產能力，打造出高良品率、高精確度的世界級商用產品至關重要。同時，雙方協(xié)同技術創(chuàng)新的模式也有利于中芯國際建立世界級的28納米工藝設計包（PDK），幫助高通以外的其它設計企業(yè)對中芯國際28納米工藝樹立信心?！爸懈呗?lián)合創(chuàng)新”正推動中國28納米走向成熟，也開啟了IC產業(yè)發(fā)展新模式。作為全球領先的無晶圓半導體廠商，高通是少數幾家能夠以規(guī)?；图夹g資源支持半導體代工廠開發(fā)及成熟化領先制程工藝的廠商。
　　綜上所述，我們認為，當中國半導體產業(yè)相關廠商屢屢宣布新的技術突破，但卻始終在業(yè)內遭受詬病，且遲遲達不到市場化的現實看，我們理應重現審視中國半導體產業(yè)創(chuàng)新與市場化的內涵，即不要一味地流于形式上的技術上的追趕，而是根據自身的特點和優(yōu)勢，在發(fā)展模式和節(jié)點技術上的創(chuàng)新和選擇（例如聯(lián)合創(chuàng)新模式），畢竟目前全球半導體產業(yè)的競爭已然白熱化，孤注一擲技術上的比拼，非但不能“彎道超車”，還有可能在產業(yè)的道路上跑偏。