三星新快閃存儲器技術(shù) 提升手機儲存容量
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三星宣布將以旗下第三代V-NAND技術(shù)打造容量更大、體積更小的256-gigabit (32GB)3D快閃記憶體模組，藉此讓手機儲存元件、PC用SSD容量可大幅提升。同時，藉由新技術(shù)投入將可提升約40%產(chǎn)能，并且將能以此提供價格更具實惠的快閃記憶體模組，預(yù)計最快在今年下半年間至明年初即可應(yīng)用在實際市售產(chǎn)品。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/278600.htm
根據(jù)三星公布消息，確定將在今年下半年內(nèi)投入第三代V-NAND技術(shù)，藉此打造容量更大、體積更小的256-gigabit (32GB)3D快閃記憶體模組，進而提升手機儲存元件與PC用SSD相同體積的資料存放容量，其中后者將能加速全面邁入TB等級規(guī)格，同時于預(yù)期手機基本儲存容量也能進一步提升。
以新技術(shù)打造的48層、3-bit MLC 256Gb V-NAND快閃記憶體，將可在儲存相同資料量時節(jié)省約30%耗電，同時相比先前32層、3-bit MLC 128Gb V-NAND快閃記憶體規(guī)格，約可提升40%產(chǎn)能表現(xiàn)，預(yù)期將可進一步降低快閃記憶體市場售價，并且讓SSD產(chǎn)品價格更趨于親民化，預(yù)期也將可讓入門款智慧手機儲存容量擴大。
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