通過(guò)修改演示板的電感和電容值，設(shè)定好300mΩ的目標(biāo)阻抗，然后將演示板放進(jìn)探測(cè)夾具。

　　根據(jù)18mV電壓偏移和58mA電流階躍計(jì)算出來(lái)的被測(cè)轉(zhuǎn)換器阻抗約為320mΩ。通過(guò)平均這個(gè)測(cè)量結(jié)果去除輸出紋波電壓后就可以得到純凈的波形。注意，電壓響應(yīng)中一點(diǎn)都沒(méi)有上沖或下沖現(xiàn)象，見(jiàn)圖3.

　　雖然這個(gè)例子提供了代表低功耗應(yīng)用的300mΩ輸出阻抗，但PEB控制可以針對(duì)任何功耗電平進(jìn)行調(diào)整。運(yùn)算要求也很低，可以采用數(shù)字或模擬電路實(shí)現(xiàn)。想必控制器能夠集成進(jìn)單片芯片中。

　　PEB控制器是獨(dú)立于硬件的，允許控制硅MOSFET功率級(jí)電路，或用于更高頻率工作和具有最佳效率的氮化鎵功率級(jí)電路。PEB控制器還可以用作支持動(dòng)態(tài)電壓編程的放大器，同樣不會(huì)有上沖或下沖。當(dāng)為PDN應(yīng)用考慮許多新的開(kāi)關(guān)拓?fù)鋾r(shí)，PEB控制可以提供諸多有用的好處。希望未來(lái)能夠進(jìn)一步拓展這個(gè)拓?fù)洹?/p>