高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者 CISSOID 公司宣布推出高溫電源模塊CHT-PLUTO，它可在-55～225℃的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)可靠的運(yùn)行，并輸出高達(dá)60A的電流。CHT-PLUTO 是一種雙碳化硅 MOSFET 模塊，主要應(yīng)用于在低端和高端均可持續(xù)供應(yīng) 30 A 電流的半橋。低端和高端的兩個(gè)獨(dú)立開關(guān)可并聯(lián)使用，輸出總電流為 60 A，擊穿電壓超過(guò) 1200 V，當(dāng) VGS=20 V 時(shí)，導(dǎo)通電阻在 25℃和 225℃的溫度下分別低至 23 m? 和 50 m?。

　　由于碳化硅晶體管的開關(guān)損耗較低，故而可實(shí)現(xiàn)較高的工作頻率。CHT-PLUTO 還可嵌入正向電壓 Vf 較低的續(xù)流肖特基二極管，它可以在死區(qū)時(shí)間降低功耗。每個(gè)開關(guān)均可采用 -5/+20 V的標(biāo)準(zhǔn)柵電壓進(jìn)行控制。

　　CHT-PLUTO 采用密封的 8 引腳專用“H8MA”金屬封裝，其尺寸規(guī)格為 18mm x 29mm (不包括安裝耳)。器件與封裝外殼之間采用電氣隔離。該模塊的特點(diǎn)是每個(gè) 30 A 通道的結(jié)面至外殼熱阻都低至 0.7℃/W。另外，兩個(gè)附加的源連接器則可輕松地將模塊牢牢連接到柵極驅(qū)動(dòng)器。

　　CHT-PLUTO 適合為功率轉(zhuǎn)換器、逆變器或電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等應(yīng)用構(gòu)建半橋。當(dāng)將兩個(gè)開關(guān)并聯(lián)時(shí)，CHT-PLUTO 的輸出電流可達(dá) 60 A，同時(shí)熱阻 (Rth) 低至 0.35℃/W。還可將幾個(gè)模塊并聯(lián)，以獲得更高的輸出電流。

　　CISSOID公司最近已發(fā)布的高溫柵極驅(qū)動(dòng)器 HADES®v2 是驅(qū)動(dòng) CHT-PLUTO 的理想器件。HADES®v2 的峰值電流和 dV/dT 耐用性均較高，因此可實(shí)現(xiàn)快速切換，降低模塊功耗。借助這些優(yōu)化功能，電源設(shè)計(jì)人員可以提高工作頻率，為無(wú)源元件(輸入/輸出濾波器、去耦電容器)選擇下限值，從而在這些高成本的元件上節(jié)約大量成本，并減小系統(tǒng)的體積和重量。CHT-PLUTO 與 HADES®v2 的結(jié)合打開了使用結(jié)構(gòu)緊湊的、高度集成的功率轉(zhuǎn)換器/電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的大門，這些功率轉(zhuǎn)換器/電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的額定功率從幾千瓦到幾十千瓦不等，在高達(dá) 225℃的溫度下也可實(shí)現(xiàn)可靠運(yùn)行。

　　CISSOID公司的首席技術(shù)官 Pierre Delatte 表示： “CHT-PLUTO 是我們?yōu)楦邷?高壓電源開關(guān)推出的第二款產(chǎn)品。繼 2013 年推出 10A/1200V 單極開關(guān) CHT-NEPTUNE 之后，CHT-PLUTO 又為我們帶來(lái)了額定電流更高且同樣支持極端環(huán)境(從-55℃到225℃)的半橋模塊。經(jīng)過(guò)大量的研發(fā)努力，現(xiàn)在，我們可以自豪地推出這款能夠戰(zhàn)勝高溫挑戰(zhàn)，實(shí)現(xiàn)可靠運(yùn)行的 CHT-PLUTO 產(chǎn)品。CHT-PLUTO 真正滿足了系統(tǒng)設(shè)計(jì)師對(duì) CISSOID 產(chǎn)品的期望：讓 CISSOID 做到言行如一。該模塊在不降低原有解決方案耐用性的條件下，為高溫大功率應(yīng)用帶來(lái)了新的可能。”