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            10納米碳納米管CMOS器件面世

            作者: 時間:2015-05-15 來源:中化新網(wǎng) 收藏

              近日,在北京市科委先導與優(yōu)勢材料創(chuàng)新發(fā)展專項支持下,北京大學彭練矛教授團隊在世界上首次研制出10納米互補金屬氧化物半導體()器件。與同尺寸硅基器件相比,該器件速度是其5倍,而功耗僅為1/5。該團隊還在世界上首次成功制備出含有100個晶體管的集成電路。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/274235.htm

              下一步,該團隊將繼續(xù)優(yōu)化器件制備工藝,建立標準的碳基器件技術(shù)加工平臺,并基于該平臺開發(fā)碳納米管CPU,最終推動碳基集成電路在下一代通用芯片和消費電子等領(lǐng)域的應(yīng)用。



            關(guān)鍵詞: 碳納米管 CMOS

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