三星、SanDisk、東芝等先進者紛紛轉(zhuǎn)進較具成本優(yōu)勢的 TLC(3bit MLC)，調(diào)研機構(gòu) DRAMeXchange 預(yù)估 2015 年 TLC 產(chǎn)出比重將逐漸攀升，第四季甚至接近整體 NAND Flash 產(chǎn)出，然從下圖表一可看出，2014 年第四季產(chǎn)業(yè)后進的美光與 SK 海力士還未能發(fā)展出 TLC 技術(shù)，此外，三星與海力士每年仍需付出收益的 2~3% 做為技術(shù)授權(quán)費用給 SanDisk(圖表二)。

　　▲圖表一

　　▲圖表二

　　存儲器產(chǎn)業(yè)技術(shù)日趨復(fù)雜，且單一技術(shù)發(fā)展已現(xiàn)瓶頸，如行動裝置需求爆發(fā)下，有望取代 eMMC 成為 NAND Flash 的最大應(yīng)用的 eMCP 技術(shù)，就得結(jié)合 DRAM。存儲器也日漸講求解決方案，如何結(jié)合系統(tǒng)技術(shù)或軟體商也變得比以往都來得重要。除了武漢新芯與 Spansion 的合作，武漢新芯與中芯國際也曾找過臺灣 NOR 大廠旺宏尋求合作，但已遭拒，中國在存儲器產(chǎn)業(yè)上還未有更多合作伙伴現(xiàn)身。

　　Bernstein 認為，鉅額資金與龐大技術(shù)壁壘，中國走向主流存儲器產(chǎn)業(yè)，發(fā)展高密度存儲器產(chǎn)品并非易事，相反地，在物聯(lián)網(wǎng)裝置蓬勃發(fā)展下，相關(guān)的低密度存儲器應(yīng)用，可能是中國初進存儲器市場較可能的發(fā)展路徑。