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            Fairchild通過符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的SuperFET II MOSFET和高壓整流器來推動電動車輛設(shè)計

            作者: 時間:2015-04-02 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

              全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商 正在滿足車輛制造商和零配件供應(yīng)商的高級需求,其新的® II MOSFET和高壓整流器產(chǎn)品系列有助于打造更清潔、更智能的車輛,是額定功率不斷提高的車載充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器(用于混合動力、插電式混合動力和全電動車輛)的理想選擇。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/271981.htm

              混合與電動車輛部門經(jīng)理Fabio Necco表示:“插電式混合動力和電動車輛制造商的重要目標(biāo)之一是保持車載電池充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器盡量輕便小巧,同時提高功率等級。憑借新II MOSFET和高壓整流器的廣泛產(chǎn)品組合,幫助制造商將這些元件的效率、功率密度和可靠性最大化,這也是縮小產(chǎn)品尺寸和重量的關(guān)鍵,當(dāng)然,也與電動車輛開發(fā)的環(huán)境、經(jīng)濟和能源優(yōu)勢相一致。”

              Fairchild的AEC-Q101級650V II MOSFET產(chǎn)品系列包括9款器件和豐富的可選封裝,包括業(yè)內(nèi)較低的41 mOhm RDS(on),可幫助客戶降低開關(guān)和導(dǎo)通損耗。

              

             

              650VSuperFET® II MOSFET產(chǎn)品系列非常適合混合動力和插電式電動車輛,因為其導(dǎo)通電阻小和卓越的開關(guān)性能可實現(xiàn)高效率等級。新產(chǎn)品系列采用最新的結(jié)溫技術(shù)來實現(xiàn)小尺寸和更高效率,同時高dv/dt條件下的強健內(nèi)置二極管可提高橋式電路可靠性。

              此外,650V SuperFET II MOSFET產(chǎn)品系列的體二極管性能可以幫助制造商實現(xiàn)高開關(guān)性能和低電磁干擾(EMI)。這一優(yōu)勢很重要,因為混合動力和插電式電動車輛對于EMI環(huán)境要求嚴(yán)苛,將額外EMI降至最低對提高整體系統(tǒng)可靠性非常有利。

              高達(dá)1000V的整流器可覆蓋整個汽車電源市場

              650V SuperFET II MOSFET產(chǎn)品系列的新成員是Fairchild的汽車高壓整流器系列,該產(chǎn)品將卓越性能與汽車級可靠性合二為一。該產(chǎn)品系列符合行業(yè)AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),提供廣泛的電壓和電流額定值,是插電式混合動力和電動車輛車載充電器、固定充電器和其它高壓傳動應(yīng)用的理想選擇。

              本產(chǎn)品系列現(xiàn)在分為三個技術(shù)平臺——超快、超高速和STEALTHTM——根據(jù)開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗的平衡性進(jìn)行設(shè)計。

              超快版具有最低的VF(正向電壓),適合低開關(guān)頻率應(yīng)用和無嚴(yán)格EMI要求的應(yīng)用。超高速設(shè)備對于較快開關(guān)應(yīng)用具有較低的關(guān)斷時間,如車載充電器的PFC和次級端整流。

              Stealth整流器比超高速版更快,提供軟恢復(fù)以減少噪聲和震鈴,其代價是略高的VF(與超快版相比)和較高的反向恢復(fù)充電Qrr(與超高速版相比)。這些器件也適用于有EMI要求的高開關(guān)頻率應(yīng)用,如PFC。

              Fairchild的九款新汽車高壓整流器擁有600V和1000V擊穿電壓、15A至80A正向電流和多種封裝選擇,包括TO247,TO220和裸片銷售(晶圓、卷帶和已知合格裸片)。添加這些新成員后,F(xiàn)airchild的汽車級整流器產(chǎn)品組合現(xiàn)有22款產(chǎn)品。 Fairchild也可定制上述器件以滿足制造商的特定需求,如定制裸片和擊穿電壓。



            關(guān)鍵詞: Fairchild SuperFET

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