就在昨天的 ISSCC(International Solid State Circuit Conference)國際固態(tài)電路會議上，三星的舉動令業(yè)界感 到驚訝，全球首次展示了 10nm FinFET 半導(dǎo)體制程。當(dāng)時業(yè)內(nèi)人士紛紛表示，三星有望搶在英特爾之前造出全球第一款 10nm 工藝用于移動平臺的處理器。

　　實 際上，作為韓國高科技巨頭，三星在半導(dǎo)體制造方面已經(jīng)非常超前，目前僅有三星一家可以正式大規(guī)模量產(chǎn) 14nm FinFET 工藝的移動設(shè)備芯片，而此前在工藝方面極有優(yōu)勢的英特爾卻一推再推。雖然在芯片領(lǐng)域，三星在業(yè)務(wù)方面尚未上升到高通或者英特爾的高度，但三星的芯片發(fā)展可 謂神速，迎來的是對統(tǒng)治級競爭對手的直接挑戰(zhàn)。

　　不過，如果你認(rèn)為三星首秀 10nm FinFET 工藝制程已經(jīng)夠驚艷全場的話，那么三星在 ISSCC 會議上的主題演講可能更令人意外。

　　三星：5nm 芯片對我們而言完全沒有問題

　　據(jù)三星的發(fā)言，該公司還將繼續(xù)推進至 5nm 工藝制程，因為他們認(rèn)為“根本沒有困難”，而且進一步微細(xì)化也有可能很快實現(xiàn)。

　　該 韓國巨頭甚至表示，他們已經(jīng)確認(rèn)開始 3.2nm FinFET 工藝的工作，通過所謂的 EUV 遠(yuǎn)紫外光刻技術(shù)和四次圖形曝光技術(shù)和獨家相關(guān)途徑，可以實現(xiàn)工藝更細(xì)微化。基本上三星的演講內(nèi)容非常令人費解，完全沒有真正表述究竟使用何種新材料制造這 些更小納米工藝的芯片。英特爾已經(jīng)表示 10nm 之后的半導(dǎo)體制造會更復(fù)雜，再發(fā)展下去硅原子的物理極限很難突破，不排除三星的新材料解決方案是砷化銦鎵(Indium Gallium Arsenide,InGaAs)。

　　讓我們回到 10nm 工藝，三星稱下一代芯片尺寸將更微小，功耗更低。未來此工藝也將運用到 DRAM 和 3D V-NAND 芯片上，三星不會放棄任何在移動領(lǐng)域做儲存霸主的機會。三星表示，在 2016 或 2017 年之前暫時不會有 10nm 工藝。也就是說，首款采用 14nm 芯片的智能手機 Galaxy S6，在先進工藝方面的優(yōu)勢可能會維持兩年。

　　當(dāng)然，我們不排除下下一代旗艦智能手機，也就是 Galaxy S7，三星又驚人的為其搭載 10nm 工藝的處理器。