據(jù)PCWorld網站報道稱，制造處理器、圖形芯片和其他芯片的傳統(tǒng)方法最終將“失去動力”。據(jù)本周在ISSCC(國際固態(tài)電路會議)上發(fā)言的英特爾研究人員稱，未來數(shù)年芯片產業(yè)仍然有上升空間。

　　英特爾高級研究員馬克·玻爾(Mark Bohr)將于周一晚上在一次研討會上討論把制造工藝由當前的14納米提高到10納米或更先進工藝所面臨的挑戰(zhàn)。

　　PCWorld指出，玻爾在與記者舉行的電話會議上表示，英特爾認為，當前半導體技術的發(fā)展速度能維持到10納米(預計2016年)之后。無需轉向成本高昂、高深的制造技術——例如紫外線激光，廠商就可以生產出7納米(預計時間為2018年)芯片。

　　今年是摩爾定律問世50周年。摩爾定律是由英特爾創(chuàng)始人戈登·摩爾(Gordon Moore)提出的，即芯片上的晶體管密度每18個月翻一番。在現(xiàn)實世界中，芯片每2年左右發(fā)展一代，速度更快，能耗更低。

　　硅芯片生產工藝相當復雜。芯片由光在硅片上“蝕刻”而成，為了改進芯片制造工藝，芯片廠商必須不斷縮減光線波長。如果芯片廠商做不到這一點——或不能經濟地做到這一點，芯片改進的進程就會停止。

　　英特爾：14納米“Broadwell”技術逐步走上正軌

　　英特爾在ISSCC上將宣讀5篇論文，其中3篇與14納米工藝有關。英特爾還將參與與10納米工藝有關的研討會。

　　PCWorld表示，受制造問題影響，英特爾被迫把14納米“Broadwell”芯片發(fā)布時間推遲了數(shù)個月，希望在轉向10納米工藝時避免“重蹈覆轍”。在被問到原因時玻爾表示，“我認為我們可能低估了需要學習的東西，像14納米工藝這樣的技術，需要進行更長時間的試驗。這會導致產品開發(fā)速度比預期的要慢，提高成品率需要更長的時間。但現(xiàn)在我們的成品率已經相當高。”

　　玻爾表示，英特爾試驗性10納米生產線的速度比14納米生產線快50%，這將使10納米工藝開發(fā)工作能按計劃進行。

　　對于PC市場來說這是個好消息。但是，如果芯片產業(yè)能維持制造技術未來數(shù)年不發(fā)生重大變化，這將是一個更好的消息。