信用卡、手機、電腦等生活大小數位用品都與電晶體息息相關，但傳統(tǒng)電晶體終將遇到瓶頸，成大物理系團隊開發(fā)出全電式“自旋電晶體”，能比傳統(tǒng)電晶體更省電、運算速度快上千倍甚至萬倍，將為半導體產業(yè)帶來突破性進展。研究成果目前已申請臺灣專利，正布局美、韓專利。

　　成大物理系副教授陳則銘表示，傳統(tǒng)電晶體無論制程技術如何突破，以物理學來看，都不可能小于5奈米，目前電晶體平均每兩年縮小1倍，美國Intel、臺灣臺積電等半導體龍頭正研發(fā)16甚至14奈米的電晶體，以此來看，最快再10年傳統(tǒng)就會到達極限。

　　因此，20多年前有科學家提出新型“自旋電晶體”概念，但因磁性材料自旋注入效率低、和積體電路難結合，難有具體實現(xiàn)。

　　團隊跳脫過去思考，歷時1年研發(fā)出全電式的自旋電晶體，運用改變電壓操控自旋電子方向，取代原本概念中的鐵磁性材料，讓量子接觸點達成100%自旋注入，同時解決自旋相位干擾問題，成為全世界首顆可有效工作的自旋電晶體。

　　論文第一作者、成大物理碩士生何升晉及莊博任說，研究過程中曾遇到撞墻期，一直得不到想要的科學數據，“很苦悶”，加上電晶體實驗過程中，外在環(huán)境只要有任何變動，如有人走過、手機響，都會失敗，只好改在晚上實驗，每天平均待在實驗室中12到14小時，最后終于成功。