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            EEPW首頁 > 手機與無線通信 > 設計應用 > E波段和F波段波導H面T型縫隙耦合器

            E波段和F波段波導H面T型縫隙耦合器

            作者: 時間:2015-02-04 來源:網(wǎng)絡 收藏

              5 耦合器實物樣品制作

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/269450.htm

              實際腔體加工時把耦合體部分和蓋板分開加工,最后裝配組合而成,如圖5所示。在毫米波段,腔體內(nèi)表面的粗糙不平會引起很大的衰減,因此加工時內(nèi)表面光潔度一般要求優(yōu)于▽12,實際制作時在腔體內(nèi)表面鍍金。為了保證腔體不變形,要選擇合理的工藝方案,并盡可能提高加工精度。

              

             

              圖5 耦合器實物樣品

              6 結(jié)論

              在傳統(tǒng)H面T型耦合器的基礎上,采用了耦合槽縫緊靠波導寬面的非對稱結(jié)構(gòu),應用HFSS軟件分別進行了E和耦合器的仿真分析和設計,并制作了實物樣品。仿真得到的耦合器在72-78 GHz 內(nèi)耦合度18dB,輸入端反射系數(shù)-23dB,平坦度為±0.5dB;耦合器在106-114 GHz內(nèi)耦合度13dB,輸入端反射系數(shù)-17dB;平坦度為±0.5dB。


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            關鍵詞: E波段 F波段

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