臺灣的DRAM產(chǎn)業(yè)曾經(jīng)是臺灣科技界指標(biāo)性產(chǎn)業(yè)，但近幾年DRAM的供需市場產(chǎn)生很大的變化。動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(Dynamic Random-Access Memory，DRAM)是常見的內(nèi)存組件。固態(tài)技術(shù)協(xié)會(JEDEC)于2012年9月正式公布最新的DDR DRAM標(biāo)準(zhǔn)，DDR4(第四代DDR DRAM)。距上一代DDR DRAM，也就是DDR3的發(fā)表，已有5年之久。對于產(chǎn)品日新月異，瞬息萬變的科技業(yè)而言，5年是非常久的時(shí)間。

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　　標(biāo)準(zhǔn)DDR4模塊展示(圖片來源：www.techradar.com)

　　文/徐文芝

　　臺灣的DRAM產(chǎn)業(yè)曾經(jīng)是臺灣科技界指標(biāo)性產(chǎn)業(yè)，但近幾年DRAM的供需市場產(chǎn)生很大的變化。

　　2013年美光(Micron Technology Group)并購日本內(nèi)存大廠爾必達(dá)(Elpida)后，全球DRAM生產(chǎn)幾乎由前三大公司：三星(Samsung)、海力士(SK Hynix)以及美光所霸占，僥幸存活的少數(shù)廠商只能轉(zhuǎn)而幫其他大廠代工，或是改為生產(chǎn)具有市場利基的產(chǎn)品。如今行動裝置與物聯(lián)網(wǎng)重新帶動DRAM市場需求，朝向更小、更省電的方向邁進(jìn)，若能掌握這股新趨勢，未來臺灣廠商在內(nèi)存產(chǎn)業(yè)還是大有可為。

　　動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(Dynamic Random-Access Memory，DRAM)是常見的內(nèi)存組件。在處理器相關(guān)運(yùn)作中，DRAM經(jīng)常被用來當(dāng)作數(shù)據(jù)與程序的主要暫存空間。相對于硬盤或是閃存(Flash Memory)，DRAM具有訪問速度快、體積小、密度高等綜合優(yōu)點(diǎn)，因此廣泛的使用在各式各樣現(xiàn)代的科技產(chǎn)品中，例如計(jì)算機(jī)、手機(jī)、游戲機(jī)、影音播放器等等。

　　自1970年英特爾(Intel)發(fā)表最早的商用DRAM芯片-Intel 1103開始，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步與科技產(chǎn)品的演進(jìn)，DRAM標(biāo)準(zhǔn)也從異步的DIP、EDO DRAM、同步的SDRM(Synchronous DRAM)、進(jìn)展到上下緣皆可觸發(fā)的DDR DRAM(Double-Data Rate DRAM)。

　　每一代新的標(biāo)準(zhǔn)，目的不外乎是針對前一代做以下的改進(jìn)：單位面積可容納更多的內(nèi)存、數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俣雀臁⒁约案俚暮碾娏?。更小、更快、更省電，是半?dǎo)體產(chǎn)業(yè)永不停息的追求目標(biāo)，當(dāng)然DRAM也不例外。

　　固態(tài)技術(shù)協(xié)會(JEDEC)于2012年9月正式公布最新的DDR DRAM標(biāo)準(zhǔn)，DDR4(第四代DDR DRAM)。距上一代DDR DRAM，也就是DDR3的發(fā)表，已有5年之久。

　　對于產(chǎn)品日新月異，瞬息萬變的科技業(yè)而言，5年是非常久的時(shí)間。2007年6月第一代iPhone問世，同年DRAM產(chǎn)業(yè)宣布DDR3時(shí)代來臨;到了2012年，iPhone都已經(jīng)推進(jìn)到iPhone5了，DRAM才正式進(jìn)入DDR4，相比之下DRAM的進(jìn)步不得不說相當(dāng)緩慢。

　　隨著行動裝置的盛行，個(gè)人計(jì)算機(jī)市場逐漸式微，加上缺乏可以刺激消費(fèi)者積極更新設(shè)備的應(yīng)用程序，這些因素都降低了大眾對新一代DRAM標(biāo)準(zhǔn)的渴望。

　　即使新標(biāo)準(zhǔn)看起來有更多優(yōu)點(diǎn)，但無法激起消費(fèi)者的購買欲望，就沒有市場，新一代DRAM的需求若不顯著，DRAM廠對于投入資金研發(fā)新技術(shù)的意愿就顯得意興闌珊，新標(biāo)準(zhǔn)的制定也就不那么急迫了。

　　DDR4 PK DDR3

　　即使緩步前進(jìn)，DDR4終究還是來到大家的面前。新的標(biāo)準(zhǔn)必定帶來新的氣象，讓我們來看看DDR4與DDR3有什么不同之處：

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　　圖二：DDR4標(biāo)準(zhǔn)與DDR3標(biāo)準(zhǔn)簡單對照表(數(shù)據(jù)源：http://www.micron.com/products/dram/ddr3-to-ddr4)

　　儲存容量：單一的DDR4芯片擁有比DDR3多一倍的儲存空間，而每個(gè)DDR4模塊(module)最多可搭載8個(gè)DDR4芯片，比DDR3多一倍。也就是說，DDR4模塊的最大容量比DDR3多4倍。主板上相同的位置，DDR4可容納更大的內(nèi)存容量;換個(gè)角度來說，在容量需求不變的情況下，DDR4所需的空間比DDR3要小。

　　傳輸速度：DDR3的傳輸速度從800MHz(MHz=每秒百萬次)到2188MHz不等;而DDR4的傳輸速度從2188MHz起跳，目前的規(guī)格定義到3200MHz，將來可望達(dá)到4266MHz。