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            聯(lián)發(fā)科飆速 推殺手產品尬高通

            作者: 時間:2015-01-23 來源:ETtoday 收藏

              (2454)傳出今年將推6款晶片,其中最引起市場關注,預計在第4季推出網速可飆贏的20奈米8核心的Cat.6單晶片,另外,也將于第2季推出主流4G版8核心以及基本4G板4核心系統(tǒng)單晶片,全力搶攻4G市場。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/268553.htm

              最引起市場關注的是,聯(lián)發(fā)科預計在第4季推出的20奈米8核心的Cat.6單晶片,為第一款64位LTECat全網通單晶片,采用20奈米先進制程,號稱網速可飆贏競爭對手,成為今年聯(lián)發(fā)科的殺手級產品。

              據(jù)了解,20奈米高階晶片,采8核心64位元處理,因產生過熱問題需進行改版,由于聯(lián)發(fā)科推8核心產品時間較久,在處理過熱甚至耗能技術方面也較有經驗。

              據(jù)半導體產業(yè)人士透露,據(jù)傳高通改版主要采降速方式解決過熱問題,雖然速度上仍然可保持沖上最高速率,不過實際測速達到高規(guī)之后,也會跟著發(fā)生降速問題。

              依照聯(lián)發(fā)科日前曝光的產品藍圖來看,年底前將朝向20奈米制程方向挺進,此外,聯(lián)發(fā)科也將于2月6日在北京舉辦支援全模CDMA(分碼多工存取)網路8核心晶片MT6753,以及4核心晶片MT6735新品發(fā)表會。

              市場研判,聯(lián)發(fā)科這次提前內部大約1個季度,搶先發(fā)表新款晶片組,主要策略要在高通20奈米制程立足尚未穩(wěn)定之際,直搗對方中軍陣地,取得后發(fā)先至的重要一役。



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