半導體工藝邁過20nm大關之后，各大巨頭似乎都被1Xnm工藝忙得焦頭爛額。前有臺積電16nm連續(xù)跳票、第三季度才能量產(chǎn)，后有三星14nm FinFET工藝克服此前問題剛剛上道。而近日在半導體工藝遙遙領先的英特爾也有些力不從心，Intel CEO科再奇近日的談話暗示，英特爾10nm‘還在繼續(xù)研究，尚未確立時間表’。

　　據(jù)悉，如果按照原先的Tick-Tock發(fā)展模式，后續(xù)進展順利的話，Intel應該在2016年底推出10nm工藝新品，據(jù)說代號為“Cannonlake”，取代這兩年的14nm Broadwell/Skylake，但情況極為不樂觀。而根據(jù)科柯再奇近日的公開談話暗示，意味著10nm新品2016年底面世的可能性不大。

　　半導體工藝老大英特爾進展緩慢，緊隨的小弟更是如此。近來關于臺積電16nm Fin FET工藝進展不順的風言風語很多，比如說設備安裝推遲到下半年，大規(guī)模量產(chǎn)可能得等明年了，迫使高通、蘋果兩大客戶紛紛投靠三星14nm Fin FET。

　　在近日的投資者大會上，臺積電董事長張忠謀也承認，2015年的Fin FET技術市場上，臺積電將會輸給三星，但在2017-2018年，臺積電將會實現(xiàn)反超。他同時披露說，已經(jīng)有50多名客戶利用臺積電16nm Fin FET工藝完成了新品流片工作，大多數(shù)會在2015年第三季度投入量產(chǎn)，新工藝也將在第四季度貢獻5-10%的收入。

　　這基本就表明了，2015年中量產(chǎn)已經(jīng)不可能，而從收入比例上看，所謂的第三季度量產(chǎn)也僅僅是個開始，真正成熟最快也得今年底，和此前的推測基本相符。

　　看來不僅僅GPU制造工藝進展緩慢，連英特爾的CPU工藝也開始逐漸放緩了。由于芯片制造工藝的拖延放緩，恐怕提高處理器性能的唯一手段就是從架構(gòu)上面改善了。畢竟工藝只是一個代工過程，架構(gòu)設計的好才是真材實料。