華潤(rùn)微電子有限公司旗下的華潤(rùn)上華科技有限公司(“華潤(rùn)上華”)自主研發(fā)的“跑道形NLDMOS晶體管及其制作方法”專利技術(shù)，近日榮獲2014年第七屆無(wú)錫市專利金獎(jiǎng)。該項(xiàng)專利填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白，開創(chuàng)了國(guó)內(nèi)首個(gè)可應(yīng)用于單片智能開關(guān)電源集成電路工藝技術(shù)，達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。目前，該項(xiàng)專利已應(yīng)用于華潤(rùn)上華晶圓生產(chǎn)線，累計(jì)產(chǎn)出已達(dá)24萬(wàn)片，大幅提升了企業(yè)營(yíng)收能力，兩年內(nèi)為華潤(rùn)上華新增直接銷售額3.8億元，新增利潤(rùn)4500萬(wàn)元。

　　該項(xiàng)專利提供一種提高跑道形NLDMOS晶體管及其制作方法，采用圓環(huán)形結(jié)構(gòu)在N型漂移區(qū)形成P型同心環(huán)，通過(guò)調(diào)整P型同心環(huán)的半徑控制P型雜質(zhì)總量，從而與N型雜質(zhì)達(dá)到電荷平衡，提高跑道形器件結(jié)構(gòu)彎道部分耐壓的方式。傳統(tǒng)方式是在彎道部分形成簡(jiǎn)單的PN結(jié)，PN結(jié)的反向耐壓即為器件彎道部分的耐壓，這種方式雖然簡(jiǎn)單，但卻使彎道部分不存在溝道，從而浪費(fèi)了芯片面積。采用該技術(shù)不僅可在跑道形器件結(jié)構(gòu)的彎道部分提高耐壓，而且可以在彎道部分保留溝道，使器件電流變大，達(dá)到有效利用芯片面積，增大電流，降低導(dǎo)通電阻的目的。

　　圍繞上述主專利，華潤(rùn)上華還分別在國(guó)內(nèi)外申請(qǐng)了41項(xiàng)周邊專利，構(gòu)成專利組合，對(duì)華潤(rùn)上華所經(jīng)營(yíng)的特定領(lǐng)域進(jìn)行系統(tǒng)控制和保護(hù)，使華潤(rùn)上華獲得持續(xù)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。目前，華潤(rùn)上華在國(guó)內(nèi)單芯片LED照明驅(qū)動(dòng)電源市場(chǎng)中的市場(chǎng)占有率達(dá)到100%，有國(guó)內(nèi)外知名客戶21家，部分產(chǎn)品已成功被大眾、奧迪等汽車廠商使用。