4 實(shí)物制作及測(cè)試結(jié)果

　　通過以上仿真設(shè)計(jì)，得到了振蕩器的元器件參數(shù)的初值。我們采用微波薄膜混合集成工藝來完成實(shí)物的制作。整個(gè)負(fù)阻電路制作在一塊氧化鋁陶瓷基片上，通過鍵合金絲將SFCR引入到振蕩管的基極。調(diào)節(jié)鍵合絲的長(zhǎng)度，可以調(diào)節(jié)SFCR與負(fù)阻電路的耦合強(qiáng)弱，從而控制可調(diào)諧帶寬與相位噪聲，振蕩管和變?nèi)荻O管均選用管芯。最終達(dá)到的技術(shù)指標(biāo)如下：

　　(1)輸出頻率：8370MHz±15MHz;

　　(2)調(diào)諧電壓：1～9V;

　　(3)輸出功率：10dBm，緩沖隔離放大器輸出;

　　(4)相位噪聲：-92dBc/Hz@10kHz,-115dBc/Hz@ 100kHz(VT= 5V，常溫測(cè)試);

　　(5)頻率穩(wěn)定度：8 ppm/℃(-40℃～+70℃);

　　(6)電壓/電流：12V/60mA;

　　(7)外形封裝：SP-1(25.8mm×14.4mm×4.15mm)。

　　由上面指標(biāo)可以知道，該VCDO的調(diào)諧帶寬和相位噪聲都與電調(diào)諧DRO的指標(biāo)相當(dāng)，頻率穩(wěn)定度較DRO有一定的差距，但是由于SFCR自屏蔽結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢(shì)，該VCDO的體積相當(dāng)?shù)匦?下面給出實(shí)物對(duì)照?qǐng)D：

　　圖4 實(shí)物測(cè)試曲線(VT= 5V)

　　圖5 VCDO與DRO實(shí)物對(duì)比圖

　　5 結(jié)論

　　在現(xiàn)代CAD仿真設(shè)計(jì)軟件的幫助下，本文基于負(fù)阻振蕩器的基本理論，采取調(diào)諧振蕩器負(fù)阻電路部分的狀態(tài)的方法來達(dá)到改變整個(gè)負(fù)阻振蕩器的輸出頻率的方法成功設(shè)計(jì)并制作了一個(gè)新型介質(zhì)壓控振蕩器—VCDO。由于基于SFCR介質(zhì)壓控振蕩器(VCDO)體積小、指標(biāo)優(yōu)良，具有較好的實(shí)用前景。