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            DSP編程技巧之31---答疑解惑哪家強(qiáng)之(6)

            作者:paradoxfx 時(shí)間:2014-12-22 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

              答疑解惑哪家強(qiáng)?當(dāng)屬我們EEPW最強(qiáng)。。。接下來繼續(xù)我們的答疑解惑。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/267154.htm

              35. 雖然可用的存儲(chǔ)空間看起來比section的長度要大,但是鏈接器為何提示“placement fails for object”?

              這種情況一般是因?yàn)槎蔚目臻g的分配是并不是我們想象中的連續(xù)的一個(gè)緊挨一個(gè),而是被編譯器給“分塊”管理了。在內(nèi)存地址分配時(shí),一個(gè)段需要完全適配到頁(page)中,或者從頁的邊界開始連續(xù)分配;為了滿足這個(gè)要求,段在分配到頁中時(shí),可能無法完全利用某些頁,導(dǎo)致內(nèi)存地址中產(chǎn)生了間隙(hole),使得實(shí)際所需要的內(nèi)存空間超過了根據(jù)變量大小計(jì)算出來的理論值。編譯器這樣做的目的是為了優(yōu)化數(shù)據(jù)頁(DP)寄存器的加載,達(dá)到減小代碼尺寸和優(yōu)化程序性能的目的。例如,針對(duì)一個(gè)數(shù)組,如果數(shù)組的長度小于64字(words),則編譯器僅需安全地加載DP一次就可以訪問數(shù)組的全部元素;如果數(shù)組長度大于64字,則在訪問每64字的數(shù)組元素時(shí),編譯器僅需加載一次DP,當(dāng)然如果訪問多個(gè)64字的數(shù)組元素則仍需要多次加載DP。

              舉例說明:

              在里定義:

              RAMM1 : origin = 0x000400, length = 0x000400 /* on-chip RAM block M1 */

              commbuf : > RAMM1 PAGE = 1

              在main.c里定義以下幾個(gè)變量

              #pragma DATA_SECTION(sendT, "commbuf")

              Uint16 sendT[260];

              #pragma DATA_SECTION(receT, "commbuf")

              Uint16 receT[260];

              #pragma DATA_SECTION(CntPPR, "commbuf")

              Uint32 CntPPR[250];

              表面上共需260+260+250*2=1020,commbuf正好放得下.但ccs提示空間不夠:

              (run placement fails for object "commbuf", size 0x474 (page 1).

              Available ranges: RAMM1 size: 0x400 unused: 0x400 max hole: 0x400)

              產(chǎn)生錯(cuò)誤的原因是根據(jù)DP加載的原則,page被劃分為64word的小單元,而數(shù)組被存儲(chǔ)在連續(xù)的、整塊的單元上,未使用到的空間不會(huì)再分配給其它數(shù)組或者變量使用。所以16位260長度的數(shù)組實(shí)際占用了64*5=320 (64*4=256<260),32位500的長度實(shí)際占用了64*8=512,占用的總長度為:320*2+512=1152=0x480。

              按照CCS的提示,commbuf占用空間是320*2+500=1140=0x474,但是事實(shí)上32位數(shù)組占據(jù)的最后那個(gè)page已經(jīng)無法被別的變量使用了,所以如果還有新的變量出現(xiàn)的話,會(huì)提示RAMM1塊缺少的地址更多。

              根據(jù)我們的需要,可以在每次之間內(nèi)存讀取操作之前都加載DP,這樣就可以禁用上面的“分塊”管理特性了。這樣做雖然可以減小內(nèi)存地址空間中的“間隙”,但是每一次訪問內(nèi)存都需要加載DP,反而大大地增加了代碼的尺寸,實(shí)在是得不償失(看起來很少有人會(huì)這么做)。我們可以通過啟用編譯器的-disable_dp_load_opt,或者叫-md選項(xiàng)來實(shí)現(xiàn)這一方法。

              確認(rèn)某個(gè)段是否被編譯器給分塊管理的方法就是使用.bss和.usect指令,具體內(nèi)容請(qǐng)參考http://www.biyoush.com/article/263821.htm。

              36. 鏈接器提示“placement fails for object '.text'”,我們?nèi)绾螢?text分配更多的內(nèi)存?

              .text段中包含包含所有可執(zhí)行的代碼,以及編譯器編譯產(chǎn)生的常量。如果我們的代碼比較大,超過了文件中默認(rèn)分配的空間,則.text無法適配到內(nèi)存空間中,就會(huì)產(chǎn)生上面的錯(cuò)誤。通常有三種方法可以來為其分配更多的空間。

              方法一:修改

              這個(gè)我們已經(jīng)提到過,請(qǐng)參考http://www.biyoush.com/article/256732.htm。

              方法二:分割.text,把它平均分配到多個(gè)內(nèi)存區(qū)域中

              這個(gè)方法比較直觀,前提是幾個(gè)內(nèi)存區(qū)域的總長度要滿足要求。例如:

              .text : >> FLASHA | FLASHC | FLASHD, PAGE = 0

              方法三:完整分割法

              這個(gè)名字有點(diǎn)古怪,它本質(zhì)仍然是把.text分割,目標(biāo)區(qū)域也可以有多個(gè),但是當(dāng)?shù)谝粋€(gè)區(qū)域就滿足要求時(shí),則只把它分配到第一個(gè)區(qū)域中,剩余的目前區(qū)域?qū)嶋H上未被使用到。

              在實(shí)際編程實(shí)現(xiàn)時(shí),這些方法仍然存在一定的限制,包括:

              1. 在包含控制律加速器CLA 的Piccolo器件中,只有特定的內(nèi)存區(qū)域可被CLA所使用。

              2. 在含有DMA的器件中,并不是所有的內(nèi)存都可被DMA所訪問。

              3. 一般情況下,SRAM都是單個(gè)機(jī)器周期內(nèi)只能訪問一次,但是0等待狀態(tài)的。但在一些器件中,程序內(nèi)存控制是包含等待狀態(tài)的,例如在某些2833x器件中,DMA可訪問的數(shù)據(jù)空間是0等待狀態(tài)的,但是程序控制是1等待狀態(tài)的。這些SRAM空間更適合純數(shù)據(jù)訪問類型的使用。

             37. 在cmd文件中,可以把連續(xù)的Flash模塊組合為一個(gè)整體的區(qū)間嗎?

              答案是可以的。在Flash的燒寫中,可以在同一時(shí)間被燒寫的Flash的最小長度被稱為扇區(qū)(sector),所以通過把我們的代碼進(jìn)行分區(qū)燒寫,就可以把它們對(duì)齊到扇區(qū)。

              Flash模塊結(jié)合的方法一:直接合并法

              以把兩個(gè)Flash扇區(qū)組和為一個(gè)段為例:

              合并前,兩個(gè)扇區(qū)的定義是:

              MEMORY

              {

              //

              // Individual sectors E and F called out in the MEMORY description

              //

              ...

              FLASHF : origin = 0x310000, length = 0x008000 /* on-chip FLASH */

              FLASHE : origin = 0x318000, length = 0x008000 /* on-chip FLASH */

              ...

              }

              合并之后的Flash區(qū)間為:

              MEMORY

              {

              //

              // Sectors E and F merged into one in the MEMORY description

              //

              ...

              FLASH : origin = 0x310000, length = 0x010000 /* on-chip FLASH F & FLASH E */

              ...

              }

              方法二:反其道行之,把段分配到多個(gè)Flash模塊中,與問答36的方法二是一致的,例如:

              SECTIONS

              {

              .text: { *(.text) } >> FLASHE| FLASHH

              }

              38. 在cmd文件中,可以把相鄰的SARAM模塊組合為一個(gè)整體的區(qū)間嗎?

              答案是可以的,方法與Flash組合的方法一樣。

              雖然這樣做是完全沒有問題的,但需要牢記SARAM模塊都是單個(gè)機(jī)器周期內(nèi)只能訪問一次的,所以為了優(yōu)化程序的性能,最好把代碼給分區(qū)到不同的物理SARAM模塊中,這樣可以減少大量讀/寫操作中的資源沖突。

              39. 對(duì)于/BIOS的工程,如何了解鏈接的信息?

              /BIOS 的配置工具生成一個(gè)cmd文件,規(guī)定如何連接所有 /BIOS 生成的程序段,并且默認(rèn)鏈接至所有 C/C++ 語言編譯程序生成的程序段。 當(dāng)從 RAM 運(yùn)行程序時(shí),可能只需要這一個(gè)cmd文件就夠了。但在當(dāng)從Flash中執(zhí)行時(shí),很有可能需要生成且連接一個(gè)或多個(gè)自定義的程序段。

              此外,任何配置片載Flash控制寄存器(例如,F(xiàn)lash等待狀態(tài))的代碼不能從Flash執(zhí)行。我們也許需要從 RAM(而非Flash)中運(yùn)行特定時(shí)間關(guān)鍵函數(shù)來大幅提升性能。 必須創(chuàng)建一個(gè)自定義cmd來處理這些我們定義的程序段??梢詤⒖糝unning an Application from Internal Flash Memory on the TMS320F28xx DSP這個(gè)文檔,其示例代碼在http://www.ti.com/general/docs/lit/getliterature.tsp?baseLiteratureNumber=spra958&fileType=zip。

              需要注意的是,這些文檔和程序與新版本的CCS中所包含SYS/BIOS并不是完全兼容的。此外,如果我們想使用第三方的操作系統(tǒng),例如VxWorks、us/OS、INTEGRITY等,則要根據(jù)這些RTOS的特點(diǎn)進(jìn)行內(nèi)存的分配與管理。

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