德州儀器采用集成轉(zhuǎn)換開關(guān)與LDO簡化DDR內(nèi)存電源設(shè)計
作者：電子設(shè)計應(yīng)用
時間：2004-07-19
來源：電子設(shè)計應(yīng)用
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技術(shù)方案與實用技巧
Micron公司計算與消費類電子產(chǎn)品集團的先進技術(shù)與戰(zhàn)略市場營銷執(zhí)行總監(jiān) Terry Lee 說：“最終設(shè)備制造商腳踏實地地設(shè)計新型產(chǎn)品，既能支持內(nèi)存密度更高的系統(tǒng)，同時又做到不會犧牲電池壽命。我們正與 TI 等少數(shù)幾家領(lǐng)先的半導體公司開展合作，他們能夠提供先進的電源管理模擬技術(shù)，其技術(shù)結(jié)合了適當?shù)募啥?、豐富的功能性與高性能，能夠快速適應(yīng)新一代 DDR 內(nèi)存系統(tǒng)不斷變化的電源要求?！?/P>
TI 的新型 TPS51116 集成了可驅(qū)動 VDDQ 的同步電流模式 DC/DC 控制器，還集成了一個可驅(qū)動 VTT 的 3-A 線性壓降 (LDO) 調(diào)節(jié)器，以及一個緩沖參照 VTTREF。它是一套完整的 DDR 電源解決方案，與 DDR 與 DDR II JEDEC 規(guī)范完全兼容，通過包括用于轉(zhuǎn)換開關(guān)的電力系列，僅添加 7 個外部電阻與電容即可實現(xiàn)該解決方案，而目前的同類競爭系統(tǒng)則要采用 18 個乃至更多分離式電源管理組件。TPS51116 具有優(yōu)秀的輕負載效率，在 10 ma 時可實現(xiàn)超過 85% 的 VDDQ 效率。高性能 LDO 可吸收或提供 3A 峰值電流，同時只需要 2x10
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