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            英特爾14nm八核處理器曝光,要斷誰(shuí)的生路?

            作者: 時(shí)間:2014-12-03 來(lái)源:驅(qū)動(dòng)之家 收藏

              九月份的IDF峰會(huì)上,Intel正式宣布了“Xeon D”,也就是此前代號(hào)Broadwell-DE、面向微型服務(wù)器、嵌入式通信與存儲(chǔ)市場(chǎng)的第三代產(chǎn)品,將取代此前的Atom S1200/C2000。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/266310.htm

              Xeon D自然也是14nm工藝產(chǎn)物,它會(huì)是一個(gè)很大的單芯片SoC,身材和功耗更小,而且最多八個(gè)CPU核心,同時(shí)支持DDR3/DDR4 ECC。

              這可要比消費(fèi)領(lǐng)域Broadwell的雙芯片、最多四核心、僅支持DDR3要強(qiáng)太多了。

              而除了TXT、AVX2、TSX指令集,VT-x、VT-d虛擬化這些常規(guī)技術(shù),它還會(huì)額外支持內(nèi)存RAS特性,并且有大量的I/O接口。

              

             

              Xeon D將在2015年上半年發(fā)布,但是第二季度首發(fā)的只有一款高端八核,熱設(shè)計(jì)功耗45W,網(wǎng)絡(luò)功能受限而僅面向微型服務(wù)器。

              全面爆發(fā)還得等第三季度,其中用于微型服務(wù)器的有八核、六核、四核三款型號(hào),熱設(shè)計(jì)功耗都是45W。

              

             

              嵌入式領(lǐng)域的則有八核45/35W、六核35W、四核35/25W,以及兩款雙核,其一25W,其二不到20W,不過(guò)后者會(huì)劃入奔騰序列。

              如果這一切能出現(xiàn)在明年的筆記本里該多好啊……



            關(guān)鍵詞: 英特爾 處理器

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