東芝公司旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布推出40V電壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)“U-MOS IX-H”系列。相比東芝傳統(tǒng)的U-MOS VI-H系列，新系列減少了76%的導(dǎo)通電阻，實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)的低導(dǎo)通電阻[1]。此外，它還減少了Qoss[2]的增加，從而提高開關(guān)電源的效率。樣品出貨即日起啟動(dòng)。

　　注：

　　·[1]截至2014年11月4日。東芝調(diào)查。

　　·[2]Qoss：輸出電荷。

　　主要特性

　　·業(yè)界頂級(jí)的低導(dǎo)通電阻：0.85mΩ(最大值)

　　·業(yè)界頂級(jí)的低RDS(ON)?Qoss：60mΩ?nC

　　應(yīng)用

　　適用于服務(wù)器和電信基站的高效開關(guān)電源

　　主要規(guī)格