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            EEPW首頁(yè) > 嵌入式系統(tǒng) > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > Intel絕妙創(chuàng)意:同時(shí)兼容DDR3/DDR4規(guī)格

            Intel絕妙創(chuàng)意:同時(shí)兼容DDR3/DDR4規(guī)格

            作者: 時(shí)間:2014-12-01 來(lái)源:中關(guān)村在線 收藏

              以往每次內(nèi)存更新?lián)Q代的時(shí)候,總是同時(shí)提供支持,主板廠商也會(huì)推出一些同時(shí)有兩種插槽的板子,給大家更多選擇,但是這一次的Haswell-E,狠心只支持(據(jù)說(shuō)其實(shí)也支持但屏蔽了),實(shí)在有點(diǎn)激進(jìn)。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/266176.htm

              不過(guò),其實(shí)還有一個(gè)鬼點(diǎn)子“UniDIMM”(Universal DIMM),可以讓、、LP甚至是未來(lái)的LP共享一種接口規(guī)格,隨便更換、升級(jí)。

              

             

              Universal DIMM(UniDIMM)技術(shù)

              

             

              該技術(shù)希望可以實(shí)現(xiàn)兼容所有內(nèi)存系統(tǒng)

              

             

              甚至可以用在SODIMM上

              這種概念利用了現(xiàn)有的筆記本內(nèi)存接口規(guī)格SO-DIMM (260針),只是進(jìn)行了一些適應(yīng)調(diào)整。長(zhǎng)寬尺寸既有現(xiàn)在的標(biāo)準(zhǔn)69.6×30毫米,還有20毫米高的矮版。

              Intel聲稱,UniDIMM系統(tǒng)無(wú)需修改DRAM內(nèi)存設(shè)備、PHY物理層、封裝,CPU PHY物理層、針腳布局,電熱規(guī)格也與SO-DIMM完全相同,對(duì)操作系統(tǒng)也沒(méi)有影響,可以做到一塊主板通吃,只需要設(shè)計(jì)新的供電電路即可。

              Intel表示,UniDIMM DDR3/4的頻率、性能和功耗都與現(xiàn)在的通用標(biāo)準(zhǔn)相同,移動(dòng)版內(nèi)存能支持到LPDDR3-2133、LPDDR4-2933,只是功耗會(huì)有所增加。

              最大的代價(jià)就是成本,Intel估計(jì)會(huì)因?yàn)閷S玫墓╇娦枨笤黾?5-50歐元,約合人民幣200-400元。

              Intel表示,金士頓、美光已經(jīng)表達(dá)了對(duì)UniDIMM的支持,但能否、何時(shí)會(huì)有實(shí)際產(chǎn)品尚無(wú)明確計(jì)劃。

              PS:很有創(chuàng)意,目測(cè)也就會(huì)停留在創(chuàng)意上。

              

             

              海力士DDR4

              

             

              三星DDR4

              

             

              美光DDR4

              

             

              Intel內(nèi)存支持路線圖:只有中高端桌面、高端筆記本才會(huì)在近期上DDR4

              

             

              Intel內(nèi)存支持路線圖:服務(wù)器全部第一時(shí)間上DDR4,平板機(jī)繼續(xù)DDR3

              

             

              Intel內(nèi)存支持路線圖:DDR4頻率不會(huì)提升太快的,容量上桌面和筆記本以16GB為主流

              

             

              DDR四代規(guī)格對(duì)比

              

             

              DDR4的優(yōu)勢(shì)

              

             

              預(yù)計(jì)DDR4 2016年開(kāi)始超越DDR3,同時(shí)注意LPDDR移動(dòng)內(nèi)存的兇猛

              

             

              8Gb顆粒將在明年抬頭,2016年成為主流

              

             

              DDR4今年會(huì)比DDR3貴四分之一,明年縮小到十分之一,后年就基本持平了。

              

             

              移動(dòng)內(nèi)存:LPDDR4也會(huì)在2016年成為主流,首次和DDR實(shí)現(xiàn)同步

              

             

              各大內(nèi)存廠商都已經(jīng)全力投入DDR4



            關(guān)鍵詞: Intel DDR3 DDR4

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