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            你造嗎? 四大MOSFET實(shí)用技巧

            作者:songzhige 時(shí)間:2014-11-17 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

              FET是一個(gè)時(shí)代產(chǎn)物,隨著FET技術(shù)的進(jìn)展,特別是大電流、小封裝、低功耗的單芯片FET出現(xiàn),它的開關(guān)速度快/輸入阻抗大/熱穩(wěn)定性好等等優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)成為工程師們的首選。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/265477.htm

              在EEPW論壇呆久了,看了好多網(wǎng)友問(wèn)起MOS管的事情,有很多童靴對(duì)MOS管的使用不是很熟悉,今天有空給大家說(shuō)幾個(gè)關(guān)于MOSFET的技巧的幾個(gè)實(shí)用技巧的事情。

              為了把問(wèn)題說(shuō)的明白些,還是有必要把MOS管的身世先介紹一下。

              MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是這兩種。

              MOSFET 依照其“通道”的極性不同,可分為n-channel與p-channel的MOSFET,通常又稱為NMOSFET 與PMOSFET.

              一, 符號(hào)記憶技巧:“屁朝外”即可!

              如圖1為電路符號(hào)。那么問(wèn)題就來(lái)了,一般初學(xué)者,對(duì)這樣的符號(hào)總是混淆,總是記不住這兩種類型的符號(hào),現(xiàn)在本官告訴一個(gè)記憶訣竅,讓你一輩子終身難忘!先看電路符號(hào),

              圖1:NMOSFET 與PMOSFET電路符號(hào)

              怎么講,把MOS管電路符號(hào)近似看做一個(gè)人,定義D是腦袋,G是抬起的腳,S是立著的腳,2極管是幕布!諧音“P朝外”,記住"P→"朝外放就行了,N不用記了,PMOS→簡(jiǎn)稱P→P都是朝外放的 (不要告訴俺你習(xí)慣朝里放P)

              二,看MOS管封裝技巧

              過(guò)去數(shù)年中硅技術(shù)的改進(jìn)已經(jīng)將MOSFET的內(nèi)阻和功率半導(dǎo)體的發(fā)熱量降低到了相當(dāng)?shù)偷乃?,以至封裝限制了器件性能的提高。隨著系統(tǒng)電流要求成指數(shù)性增加,市場(chǎng)上已經(jīng)出現(xiàn)了多種先進(jìn)的功率封裝的MOSFET封裝。這些新的封裝MOS技術(shù)提供了更多的設(shè)計(jì)自由度,但太多的選擇也使得人們大感困惑,特別是讓那些電源的設(shè)計(jì)者無(wú)所適從。

              所謂封裝就是給MOSFET芯片加一個(gè)外殼,這個(gè)外殼具有支撐、保護(hù)、冷卻的作用,同時(shí)還為芯片提供電氣連接和隔離,以便MOSFET器件與其它元件構(gòu)成完整的電路。

              芯片的材料、工藝是MOSFET性能品質(zhì)的決定性因素,MOSFET廠商自然注重芯片內(nèi)核結(jié)構(gòu)、密度以及工藝的改進(jìn),以提高M(jìn)OSFET的性能。這些技術(shù)改進(jìn)將付出很高的成本。

              做電源的一般常用的MOS管的封裝形式也就是下面的兩種形式。

              1.TO封裝

              TO(Transistor Out-line)的中文意思是“晶體管外形”。這是早期的封裝規(guī)格,例如TO-92,TO-92L,TO-220,TO-252等等都是插入式封裝設(shè)計(jì)。近年來(lái)表面貼裝市場(chǎng)需求量增大,TO封裝也進(jìn)展到表面貼裝式封裝。 TO252和TO263就是表面貼裝封裝。其中TO-252又稱之為D-PAK,TO-263又稱之為D2PAK。

              圖2 TO封裝

              D-PAK封裝的MOSFET有3個(gè)電極,柵極(G)、漏極(D)、源極(S)。其中漏極(D)的引腳被剪斷不用,而是使用背面的散熱板作漏極(D),直接焊接在PCB上,一方面用于輸出大電流,一方面通過(guò)PCB散熱。所以PCB的D-PAK焊盤有三處,漏極(D)焊盤較大。

              圖3 D-PAK封裝

              2、SOT和SOP封裝

              SOT小外形晶體管封裝。這種封裝就是貼片型小功率晶體管封裝,比TO封裝體積小,一般用于小功率MOSFET。常見的規(guī)格有:常用四端引腳的SOT-89 MOSFET。

              圖4 SOT封裝

              SOP的中文意思是“小外形封裝”。SOP是表面貼裝型封裝之一,引腳從封裝兩側(cè)引出呈海鷗翼狀(L 字形)。材料有塑料和陶瓷兩種。SOP也叫SOL 和DFP。MOSFET的SOP封裝多數(shù)采用SOP-8規(guī)格,業(yè)界往往把“P”省略,叫SO(Small Out-Line )。

              圖5 SOP封裝

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