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            分立器件的創(chuàng)新這樣體現(xiàn)在性能、效率、成本和交貨的完美契合

            作者:王瑩 時(shí)間:2014-11-06 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏
            編者按:  在人們的印象中,東芝NAND Flash(閃存)享譽(yù)世界。其實(shí),東芝的分立器件也在市場上占有重要位置。   

              在人們的印象中,NAND Flash(閃存)享譽(yù)世界。其實(shí),件也在市場上占有重要位置,其光耦保持著世界第一的份額,此外,功率器件、小信號(hào)器件、白光等產(chǎn)品也以高品質(zhì)、高性價(jià)比在業(yè)內(nèi)著稱。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/265001.htm

              “件的技術(shù)創(chuàng)新體現(xiàn)在提高產(chǎn)品性能和效率的同時(shí),追求成本的控制。”電子(中國)有限公司董事長兼總經(jīng)理田中基仁指出。“因此,東芝力圖開發(fā)高附加值的產(chǎn)品,包括更高效率所要求的功率器件和白光。通過持續(xù)開發(fā)更高性價(jià)比的新產(chǎn)品以及改善生產(chǎn)效率來對(duì)應(yīng)。”

              白光:硅基8英寸

              東芝2012年才投產(chǎn)白光LED,但上升很快。原因是其工藝高起點(diǎn):在200mm/8英寸硅基板上生長氮化鎵(GaN),而目前業(yè)界主流還是用2英寸或4英寸的藍(lán)寶石基板。可見東芝采用的尺寸更大,這樣在單個(gè)晶圓上可切割出更多的LED芯片,從而降低單位成本;另一方面,硅材料也比藍(lán)寶石便宜。因此,東芝估計(jì)這種硅基氮化鎵產(chǎn)品比市場上藍(lán)寶石基板的LED芯片便宜30%左右。同時(shí),該公司還在開發(fā)0.2W LED的CSP(芯片尺寸封裝)的產(chǎn)品,尺寸只有0.65×0.65mm,比目前市場上的主流產(chǎn)品面積減少96%。

              白光LED的市場潛力巨大,預(yù)計(jì)2015年全球會(huì)有1萬億日元左右的市場規(guī)模,其中會(huì)有一大部分需求來自中國市場。品牌名稱為LETERAS的東芝LED主要用于普通照明、背光和車載照明,產(chǎn)品分為大功率--1W,中功率--0.6W,低功率--0.2W。流行的6450/3535型產(chǎn)品中,145 lm/W產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn),今年九或十月量產(chǎn)170 lm/W產(chǎn)品(如圖1)。

              功率器件:匯聚尖端技術(shù)和材料

              功率器件方面,東芝主要有三大產(chǎn)品線:管;大功率開關(guān)器件;碳化硅(SiC)和GaN功率器件。

              FET分為高壓(HV-)和低壓(LV-MOS),HV-MOS目前最先進(jìn)的是平面MOS第八代和超結(jié)MOS第四代、第五代產(chǎn)品。東芝超結(jié)MOS第四代產(chǎn)品絕大部分已經(jīng)推向市場。LV- MOS里,東芝主要做溝槽MOS,目前90%的產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn),主要應(yīng)用于家電、汽車、工業(yè)等。

              東芝超結(jié)MOS管的優(yōu)勢是:競爭對(duì)手一般使用多次外延工藝——Multi Epi,東芝是一次外延成型的Single Epi。即競爭對(duì)手是在硅基板上多次成長,生產(chǎn)的周期較長。而東芝是一次外延成型,可以大幅降低成本。

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            關(guān)鍵詞: 東芝 LED 晶圓 MOS 分立器 201411

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