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            中芯國際推出自主研發(fā)的38納米NAND閃存工藝制程

            作者: 時間:2014-10-31 來源:21IC 收藏

              集成電路制造有限公司今日宣布38納米 閃存工藝制程已準備就緒,憑此成為唯一一家可為客戶生產(chǎn) 產(chǎn)品的代工廠。該工藝平臺完全由自主研發(fā),可滿足特殊存儲器無晶圓廠客戶對高質(zhì)量、低密度 閃存持續(xù)增長的需求,使中芯國際占據(jù)該領域的領先地位。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/264687.htm

              NAND 閃存是近年來發(fā)展最為迅速的非易失性存儲(NVM)產(chǎn)品。38納米 NAND 閃存主要面向嵌入式產(chǎn)品、移動計算、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、電視及機頂盒等多種大需求量的特殊應用領域??蛻粢部衫么思夹g帶動串行外設接口(SPI)NAND 市場的發(fā)展以及不斷增長的 IoT 相關產(chǎn)品的應用。此次中芯國際成功推出38納米 NAND 閃存技術,能夠幫助客戶滿足中國及全球市場對此技術的需求。

              中芯國際技術研發(fā)執(zhí)行副總裁李序武博士表示,“此前中芯國際已開發(fā)出一系列從130納米到65納米的特殊 NOR 閃存平臺。經(jīng)過研發(fā)團隊專注及系統(tǒng)的努力,我們成功推出了38納米 NAND 閃存,在技術多元化方面取得重要進展,也為后續(xù)開發(fā)更先進的2x/1x納米及3D NAND 閃存奠定了穩(wěn)固的基礎。我們將繼續(xù)努力推進 NAND 閃存技術的開發(fā),以滿足無晶圓廠客戶對高質(zhì)量標準的要求。”

              中芯國際首席執(zhí)行官兼執(zhí)行董事邱慈云博士表示,“這一重要里程碑對中芯國際以及特殊存儲器客戶及合作伙伴,都具有重大的戰(zhàn)略性意義。對客戶來說,中芯國際顯示了其在非易失性存儲技術開發(fā)方面的決心和能力。此外,還證明中芯國際有足夠的實力在精心選擇的細分市場確立領導地位。”

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            關鍵詞: 中芯國際 NAND

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