中芯國際進(jìn)軍閃存，自主研發(fā)38nm NAND來了
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雖然規(guī)模和技術(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不如TSMC臺積電、UMC臺聯(lián)電等代工巨頭，不過中芯國際(SMIC)這兩年發(fā)展的還不錯，28nm工藝年初也正式量產(chǎn)了，還從TSMC手中搶到了部分高通處理器訂單，現(xiàn)在他們準(zhǔn)備進(jìn)軍新的市場領(lǐng)域了——向客戶推出38nm工藝的NAND閃存，而且是中芯國際自主研發(fā)的技術(shù)。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/263284.htm
NAND閃存的重要性不必說，目前SSD固態(tài)硬盤以及消費(fèi)電子上所用的存儲器多數(shù)都是基于NAND閃存，目前全球主要的NAND產(chǎn)能都掌握在三星電子、東芝/閃迪、SK Hynix及Intel、美光合資的IMFT這四大豪門中，剩下的則由臺系半導(dǎo)體廠商等瓜分，擠進(jìn)NAND市場可不容易。
中芯國際以往發(fā)展過130nm到65nm制程的NOR閃存，不過NOR閃存現(xiàn)在屬于過時的產(chǎn)品了，轉(zhuǎn)向NAND閃存也是自然而然的事了。中芯國際推出的NAND閃存制程為38nm，與目前主流的20/19nm差了一代，而且東芝、美光新一代的16/15nm制程年底就會量產(chǎn)，所以中芯國際與國際大廠還有一定的差距。
據(jù)官網(wǎng)所說，這種NAND制程完全是中芯國際自主研發(fā)的，38nm工藝對于降低NAND成本、提高產(chǎn)量來顯然不如更先進(jìn)的25、20nm，不過制程低了也有好處，那就是NAND的可靠性更好，P/E擦寫次數(shù)更高，只不過現(xiàn)在還不清楚中芯國際的38nm NAND的細(xì)節(jié)。
對中芯國際來說，38nm NAND其實(shí)也是個過渡，官方新聞中也提到了這是他們升級到更先進(jìn)的2x/1xnm及3D閃存的基礎(chǔ)，由此看來新工藝其實(shí)也是在研發(fā)中了。
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