今后產(chǎn)品擴充

　　SiC肖特基二極管和SiC MOSFET均計劃擴充耐壓1700V的產(chǎn)品系列。不僅如此，ROHM還正在開發(fā)可大幅降低芯片單位面積的導(dǎo)通電阻的、采用溝槽柵極結(jié)構(gòu)的第3代SiC MOSFET。通過降低導(dǎo)通電阻和芯片成本，有望成為加速SiC普及的技術(shù)。

　　源于ROHM綜合實力的硅材質(zhì)IGBT功率元器件

　　在要求高頻、耐高壓兼?zhèn)涞念I(lǐng)域，SiC功率元器件利用開關(guān)損耗小的優(yōu)勢，所發(fā)揮的效果尤為顯著。與此相對，具有價格優(yōu)勢的硅材質(zhì)功率元器件的活躍領(lǐng)域仍舊很大。在這種背景下，ROHM在傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體功率元器件領(lǐng)域也在進(jìn)行特色產(chǎn)品的開發(fā)，比如同時擁有MOSFET和IGBT特點的“Hybrid MOS”的開發(fā)等。

　　在硅材質(zhì)IGBT領(lǐng)域，ROHM不僅擁有單獨的半導(dǎo)體單體，作為綜合型半導(dǎo)體產(chǎn)品制造商，還擁有融合了集團綜合實力的復(fù)合型產(chǎn)品，相關(guān)產(chǎn)品陣容正日益擴大。下面介紹ROHM的硅材質(zhì)IGBT功率元器件的產(chǎn)品陣容。

　?、買GBT單品

　　ROHM已推出兩種耐壓650V的IGBT元件產(chǎn)品。一種是RGTH系列，該系列不僅具備低飽和電壓特性(額定電流下1.6V typ.)，而且其設(shè)計非常重視轉(zhuǎn)換器電路所要求的高速開關(guān)性能，非常適用于開關(guān)電源的功率因數(shù)改善電路(PFC)、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器的升壓電路等。另一種是RGT系列，該系列也具備低飽和電壓特性(額定電流下1.65V typ.)，而且具備逆變器電路應(yīng)用中尤為需要的短路耐量保證(5μS)，很適合空調(diào)、洗衣機等白色家電、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器、焊接機等的逆變器電路等應(yīng)用。兩種產(chǎn)品系列均含有將超高速軟恢復(fù)FRD集于同一封裝內(nèi)的產(chǎn)品。今后，ROHM計劃逐步完善1200V耐壓的產(chǎn)品系列、符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的車載應(yīng)用產(chǎn)品系列等的產(chǎn)品陣容。

　?、贗GBT IPM

　　ROHM的產(chǎn)品陣容中還新增了將低飽和電壓特性卓越的IGBT單品、超高速軟恢復(fù)FRD與柵極驅(qū)動IC、自舉二極管集成于逆變器的IPM(智能功率模塊)。(圖6)

　　圖6. ROHM的IGBT-IPM

　　下面是該產(chǎn)品的特點：

　　?采用應(yīng)用了600V SOI工藝的柵極驅(qū)動IC，不會發(fā)生閉鎖引發(fā)的故障。

　　?自舉電路的限流電阻采用ROHM獨有的電流限制方式，抑制啟動時的浪涌電流的同時，實現(xiàn)上臂側(cè)浮動電源的穩(wěn)定化。

　　?配有UVLO、短路保護、溫度檢測功能等保護功能。

　　?采用業(yè)界頂級的低熱阻陶瓷絕緣封裝。

　　預(yù)計兩種面向白色家電和小容量工業(yè)電機驅(qū)動用途的系列產(chǎn)品--在低載波頻率(4～6kHz左右)下驅(qū)動、降低了飽和電壓VCEsat的“低速開關(guān)驅(qū)動系列”，和在高載波頻率(15-20kHz左右)下驅(qū)動、降低了開關(guān)損耗的“高速開關(guān)驅(qū)動系列” 將在2014年內(nèi)實現(xiàn)量產(chǎn)(圖7)。

　　圖7. 適用不同載波頻率的系列產(chǎn)品擴充

　　③點火裝置用IGBT

　　作為車載應(yīng)用的產(chǎn)品，ROHM推出了汽油發(fā)動機點火裝置用IGBT，預(yù)計將于2014年末開始投入量產(chǎn)(圖8)。

　　圖8. 點火裝置用IGBT的開發(fā)路線圖

　　該產(chǎn)品不僅保證該應(yīng)用所要求的雪崩耐量(250mJ @25℃)，還實現(xiàn)了低飽和電壓特性。采用D-PAK封裝，并滿足汽車級電子元器件標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101的要求。

　　今后，繼推出集電極-發(fā)射極間保護電壓430±30V的產(chǎn)品之后，ROHM將通過集電極-發(fā)射極間保護電壓與雪崩耐量的組合，繼續(xù)進(jìn)行機種擴充;并進(jìn)行包括驅(qū)動IC在內(nèi)的封裝一體化“點火裝置IGBT IPM”等所關(guān)注產(chǎn)品的開發(fā)。

　　結(jié)語

　　ROHM的功率元器件不僅在備受矚目的SiC半導(dǎo)體領(lǐng)域，在硅半導(dǎo)體領(lǐng)域也在不斷完善著產(chǎn)品陣容。今后也會繼續(xù)發(fā)揮ROHM從分立式半導(dǎo)體到IC全覆蓋的綜合實力，不斷推出滿足多樣化市場需求的產(chǎn)品。關(guān)于具體的產(chǎn)品數(shù)據(jù)、技術(shù)信息等，請登陸本公司的官網(wǎng)www.rohm.com.cn。