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            EEPW首頁 > 電源與新能源 > 新品快遞 > 瑞薩科技發(fā)布HAT1125H P溝道功率MOSFET

            瑞薩科技發(fā)布HAT1125H P溝道功率MOSFET

            作者:電子設計應用 時間:2004-06-28 來源:電子設計應用 收藏

            今天公司發(fā)布了HAT1125H –30 V擊穿電壓P溝道功率MOSFET,它具有非常低的2.7 mΩ (典型值)導通電阻,用于筆記本電腦和類似產(chǎn)品中的電源管理開關和鋰離子電池充電/放電控制。2004年6月8日,將在日本開始樣品發(fā)貨。

            先前的產(chǎn)品相比,HAT1125H的導通電阻大約減小了25%,是業(yè)界導通電阻最低的工業(yè)標準SOP-8尺寸小型表面安裝封裝產(chǎn)品。由于其損耗很低,將有助于設計小型、節(jié)省空間的系統(tǒng)。



            關鍵詞: 瑞薩科技

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