射頻低噪聲放大器電路的結構設計
低噪聲放大器(LNA)作為射頻信號傳輸鏈路的第一級,它的噪聲系數(shù)特性決定了整個射頻電路前端的噪聲性能,因此作為高性能射頻接收電路的第一級LNA的設計必須滿足:
(1)較高的線性度以抑制干擾和防止靈敏度下降;
(2)足夠高的增益,使其可以抑制后續(xù)級模塊的噪聲;
(3)與輸入輸出阻抗的匹配,通常為50Ω;
(4)盡可能低的功耗,這是無線通信設備的發(fā)展趨勢所要求的。
2、Inductive degenerate cascode結構LNA
Inductive-degenerate cascode結構是射頻LNA設計中使用比較多的結構之一,因為這種結構能夠增加LNA的增益,降低噪聲系數(shù),同時增加輸入級和輸出級之間的隔離度,提高穩(wěn)定性。Inductive-degenerate cascode結構在輸入級MOS管的柵極和源極分別引入兩個電感Lg和Ls,通過選擇適當?shù)碾姼兄?,使得輸入回路在電路的工作頻率附近產生諧振,從而抵消掉輸入阻抗的虛部。在圖1中LNA的輸入阻抗為:
(1)
當處于諧振狀態(tài)時: (2)
那么: (3)
輸入阻抗呈現(xiàn)純電阻特性,其值由Ls和確定。由分析可知應用Inductive-degenerate cascode結構輸入阻抗得到一個50Ω的實部,但是這個實部并不是真正的電阻,因而不會產生噪聲,所以很適合作為射頻LNA的輸入極。
3、高穩(wěn)定度的LNA
cascode結構在射頻LNA設計中得到廣泛應用,但是當工作頻率較高時由于不能忽略MOS管的寄生電容Cgd,因而使得整個電路的穩(wěn)定特性變差。對于單個晶體管可通過在其輸入端串聯(lián)一個小的電阻或在輸出端并聯(lián)一個大的電阻來提高穩(wěn)定度,但是由于新增加的電阻將使噪聲值變壞,因此這一技術不能用于低噪聲放大器。
文獻對cascode結構提出了改進,在圖1的基礎上通過在M2管的柵極接上一個小值的電感Lg2就可以實現(xiàn)在增益不變的情況下,提高電路的穩(wěn)定性,同時在M2管的漏極上接一個小值的電阻以調節(jié)電壓增益如圖2(a)所示。(b)所示的是小信號等效電路,其中Z1代表省略部分的等效阻抗,可以看到由于M2管的寄生電容Cgd2的值比較小,所以對于輸出端阻抗而言,Lg2幾乎可以忽略。因為放大器的增益等于輸出阻抗和輸入阻抗值之比,所以增加Lg2后并沒有影響LNA的增益,電壓增益為:
(4)
其中ZLoad=jwLout//(jwCout)-1//Rout,Zs是源端電感LS的阻抗。
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